发明名称 |
用于金属互连的电介质间隔体及其形成方法 |
摘要 |
描述了用于多个金属互连的电介质间隔体和用于形成这种电介质间隔体的方法。在一个实施例中,使所述电介质间隔体邻近具有扩口轮廓的相邻金属互连,且所述电介质间隔体彼此不连续。在另一实施例中,所述电介质间隔体提供了无着落点的通孔可以有效地着落于其上的区域。 |
申请公布号 |
CN101506955B |
申请公布日期 |
2010.11.17 |
申请号 |
CN200780031072.0 |
申请日期 |
2007.09.21 |
申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
J·D·比勒费尔德;B·博亚诺夫 |
分类号 |
H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/3205(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
陈松涛 |
主权项 |
一种具有多个互连的电子结构,包括:第一电介质层;第一互连,其位于所述第一电介质层之上,其中,所述第一互连包括第一电介质间隔体,该第一电介质间隔体与所述第一互连的侧壁直接相邻并且直接位于所述第一电介质层和所述第一互连的底表面之间;第二互连,其位于所述第一电介质层之上,其中,所述第二互连包括第二电介质间隔体,该第二电介质间隔体与所述第二互连的侧壁直接相邻并且直接位于所述第一电介质层和所述第二互连的底表面之间,并且其中,所述第二电介质间隔体与所述第一电介质间隔体之间是非连续的;第二电介质层,其中,所述第二电介质层位于所述第一互连和所述第二互连之上;以及间隙,其位于所述第一电介质层、所述第一互连、所述第二互连和所述第二电介质层之间。 |
地址 |
美国加利福尼亚 |