发明名称 | 集成三类放电气敏电学量检测的气体传感器电极结构 | ||
摘要 | 一种集成三类放电气敏电学量检测的气体传感器电极结构,属于微型电子器件领域。本发明包括下电极、镂空电极和离子检测电极,下电极与镂空电极之间构成气体放电区域,镂空电极与离子检测电极之间构成离子漂移区域;下电极面向镂空电极一侧的表面覆盖有一维纳米材料膜,镂空电极可以使气体放电区域中气体电离过程所产生的正离子能够部分地运动到气体放电区域之外,镂空电极面向下电极一侧表面覆盖有介质阻挡层。相对于局部放电电流幅值检测,本发明应用于离化气体传感器,能够显著提高其选择性、稳定性、寿命和可靠性,提高识别气体的精度和准确度。 | ||
申请公布号 | CN101236177B | 申请公布日期 | 2010.11.17 |
申请号 | CN200810033995.6 | 申请日期 | 2008.02.28 |
申请人 | 上海交通大学 | 发明人 | 侯中宇;蔡炳初;张亚非;徐东 |
分类号 | G01N27/68(2006.01)I | 主分类号 | G01N27/68(2006.01)I |
代理机构 | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人 | 王锡麟;王桂忠 |
主权项 | 一种集成三类放电气敏电学量检测的气体传感器电极结构,其特征在于,包括:下电极、镂空电极和离子检测电极,镂空电极位于下电极与离子检测电极之间,下电极与镂空电极之间存在气体间隙,构成气体放电区域,镂空电极与离子检测电极之间存在气体间隙,构成离子漂移区域;下电极面向镂空电极一侧的表面覆盖有一维纳米材料膜,镂空电极使气体放电区域中气体电离过程所产生的正离子部分地运动到气体放电区域之外,镂空电极面向下电极一侧表面覆盖有介质阻挡层;所述的一维纳米材料膜,其中的一维纳米材料为导体性或者半导体性一维纳米材料,其直径在几纳米到几百纳米之间。 | ||
地址 | 200240 上海市闵行区东川路800号 |