| 发明名称 | 圆片级封装结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种圆片级封装结构，包括圆片(5)，所述圆片(5)包括金属层压区(1)，其特征在于在所述圆片(5)的金属层压区(1)的位置植入有下层导电金属物质(2)，在所述圆片(5)和下层导电金属物质(2)上涂布含或不含填充物质的粘结物质(3)，在所述含或不含填充物质的粘结物质(3)中的下层导电金属物质(2)之上方开有孔(6)，在所述含或不含填充物质的粘结物质(3)的开孔处植入有上层可熔接的金属物质(4)，该上层可熔接的金属物质(4)与所述下层导电金属物质(2)相互稼接。本实用新型圆片级封装结构成本更低、生产工艺流程更短以及生产品质更高。 | ||
| 申请公布号 | CN201638809U | 申请公布日期 | 2010.11.17 |
| 申请号 | CN201020002472.8 | 申请日期 | 2010.01.01 |
| 申请人 | 江苏长电科技股份有限公司 | 发明人 | 王新潮;梁志忠 |
| 分类号 | H01L23/485(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/485(2006.01)I |
| 代理机构 | 江阴市同盛专利事务所 32210 | 代理人 | 唐纫兰 |
| 主权项 | 一种圆片级封装结构，包括圆片(5)，所述圆片(5)包括金属层压区(1)，其特征在于在所述圆片(5)的金属层压区(1)的位置植入有下层导电金属物质(2)，在所述圆片(5)和下层导电金属物质(2)上涂布含或不含填充物质的粘结物质(3)，在所述含或不含填充物质的粘结物质(3)中的下层导电金属物质(2)之上方开有孔(6)，在所述含或不含填充物质的粘结物质(3)的开孔处植入有上层可熔接的金属物质(4)，该上层可熔接的金属物质(4)与所述下层导电金属物质(2)相互稼接。 | ||
| 地址 | 214434 江苏省江阴市滨江中路275号 | ||