| 发明名称 | 液晶显示装置用薄膜晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明披露了液晶显示装置用薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括形成在基板上的栅极；由具有官能团、金属氧化物、硅和氧的键结构的高介电常数绝缘体形成的栅极绝缘膜；和形成在所述栅极绝缘膜上的源极和漏极。 | ||
| 申请公布号 | CN101211984B | 申请公布日期 | 2010.11.17 |
| 申请号 | CN200710300109.7 | 申请日期 | 2007.12.17 |
| 申请人 | 乐金显示有限公司 | 发明人 | 许宰硕;田雄基;金柄杰 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 丁香兰 |
| 主权项 | 一种LCD装置用薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：形成在基板上的栅极；由具有官能团、金属氧化物、硅和氧的键结构的高介电常数绝缘体形成的栅极绝缘膜；和形成在所述栅极绝缘膜上的源极和漏极，其中所述高介电常数绝缘体具有硅(Si)-氧(O)-金属氧化物(Me)的单元键结构，其中所述硅(Si)-氧(O)-金属氧化物(Me)的单元键结构为梯型单元结构，其具有分别分布在六个顶点上的硅和金属氧化物；或者其中所述硅(Si)-氧(O)-金属氧化物(Me)的单元键结构为笼型单元结构，其具有分别分布在八个顶点上，或分别分布在九个至十八个顶点上的硅和金属氧化物。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||