发明名称 PVD真空镀层设备
摘要 一种真空镀层设备,具有:反应气体入口(12);至少一个具有平面的阴极(11)的PVD镀层源(8、21);带有多个基材(7)的基材载体(6),其中基材载体(6)二维地水平延展,该基材载体位于至少两个PVD镀层源之间,多个基材(7)是切削刀具,且在平面的基材(7)的周围的边缘区域中具有至少一个切削边(E),这些基材分布在二维延展的基材载体(6)的平面上,其中基材载体(6)在水平面(3)上在真空过程腔室(1)中间隔地设置在至少两个PVD镀层源(8、21)的平面的阴极(11)之间,使得每个至少一个切削边(E)的至少一部分含有有效的切削边(E′),且该有效的切削边在可见方向上在任何时候都暴露在PVD镀层源(8、21)的至少一个阴极(11)的对面。
申请公布号 CN101889102A 申请公布日期 2010.11.17
申请号 CN200880119186.5 申请日期 2008.11.17
申请人 欧瑞康贸易股份公司(特吕巴赫) 发明人 J·拉姆;C·沃尔拉布
分类号 C23C14/32(2006.01)I;C23C14/50(2006.01)I 主分类号 C23C14/32(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 李永波;梁冰
主权项 一种真空镀层设备,包括:-与泵系统(2)连接的真空过程腔室(1);-至少一个反应气体入口(12),其与至少一个反应气体容器(13)连通;-至少一个具有阳极(10)和平面的阴极(11)的PVD镀层源(8、21);-带有多个基材(7)的基材载体(6);-门机(4),其设置在真空过程腔室(1)上,用于给腔室装载衬底载体(6);-输送装置(5),用于输送基材载体(6)经过门机(4),并间隔于平面的阴极(11)的区域一定距离地定位在真空过程腔室(1)中;-电源(16、18),其与PVD镀层源(8、16)连接,其特征在于:基材载体(6)二维地水平延展,该基材载体位于至少两个PVD镀层源之间;多个基材(7)是切削刀具,且在平面的基材(7)的周围的边缘区域中具有至少一个切削边(E),这些基材分布在二维延展的基材载体(6)的平面上,其中基材载体(6)在水平面(3)上在真空过程腔室(1)中间隔地设置在至少两个PVD镀层源(8、21)的平面的阴极(11)之间,使得每个至少一个切削边(E)的至少一部分含有有效的切削边(E′),且该有效的切削边在可见方向上在任何时候都暴露在PVD镀层源(8、21)的至少一个阴极(11)的对面。
地址 瑞士特鲁巴赫