| 发明名称 | 具高质子传导率的质子交换膜 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一具高质子传导率的质子交换膜，该质子交换膜包含至少一具传导质子能力的有机高分子基材，以及一具高支化结构的高分子，两种型态的高分子均匀混和，其中该高支化高分子占质子交换膜整体的固含量不小于5％。该质子交换膜的高温电导度可达到0.1S/cm@100℃/100％RH，而常温也高于0.03S/cm@25℃/100％RH。 | ||
| 申请公布号 | CN101887979A | 申请公布日期 | 2010.11.17 |
| 申请号 | CN200910138432.8 | 申请日期 | 2009.05.13 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 王宗雄;潘金平;李文钦;林月微;徐雅亭;张中良;施志哲 |
| 分类号 | H01M8/02(2006.01)I;H01M2/16(2006.01)I;H01M4/86(2006.01)I;H01M8/10(2006.01)I | 主分类号 | H01M8/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 陈红;徐金国 |
| 主权项 | 一种具高质子传导率的质子交换膜，包含：一高支化聚合物基材，其中所述高支化聚合物基材具有支化度大于0.5；以及一具有传导离子能力的有机高分子，均匀分布于所述高支化聚合物基材，其中所述高支化聚合物基材占所述质子交换膜整体的固含量不小于5％。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||