半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于通过使用以氧化锌为典型的氧化物半导体膜形成薄膜晶体管，以低成本提供一种半导体器件及其制造方法，而不使制造工序复杂化。本发明的半导体器件之一，在衬底上形成栅极，覆盖栅极地形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜，并且在氧化物半导体膜上形成第一导电膜和第二导电膜，其中氧化物半导体膜在沟道形成区域中至少包括结晶化了的区域。

主权项

一种半导体器件，包括：栅极；邻近栅极的栅绝缘膜；氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括邻近栅极的沟道区，其中栅绝缘膜在氧化物半导体层和栅极之间，所述氧化物半导体层包括铟；以及与氧化物半导体层直接接触的源极和漏极，所述源极和漏极中的每一个包括金属或金属氮化物，其中沟道区实质上是本征的。