| 发明名称 | 具有晶体管、电阻及电容的相变化存储装置及其操作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有晶体管、电阻及电容的相变化存储装置及操作此种装置的方法。此处所描述的一存储装置包含一晶体管与第一及第二存取线电性耦接。一可编程电阻存储元件安置于沿着该第一及第二存取线之间的一电流路径上。以及一电容与介于该第一及第二存取线之间的该电流路径电性耦接。 | ||
| 申请公布号 | CN101887903A | 申请公布日期 | 2010.11.17 |
| 申请号 | CN201010180639.4 | 申请日期 | 2010.05.14 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 龙翔澜 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种存储单元，其特征在于，包括：一晶体管，与第一及第二存取线电性耦接；一可编程电阻存储元件，安置于沿着该第一及第二存取线之间的一电流路径上；以及一电容，与介于该第一及第二存取线之间的该电流路径电性耦接。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||