发明名称 | 发光二极管及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种发光二极管及其制造方法。该发光二极管的制造方法包括以下步骤:在基板上依次生长第一覆盖层、有源层以及第二覆盖层;将第一覆盖层、有源层以及第二覆盖层图案化为特定的平面形状,并使得有源层的外围部分的至少一部分突出至第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个的外部。 | ||
申请公布号 | CN101887934A | 申请公布日期 | 2010.11.17 |
申请号 | CN201010173323.2 | 申请日期 | 2010.05.06 |
申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 小岛健介 |
分类号 | H01L33/20(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/20(2010.01)I |
代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 吴孟秋;梁韬 |
主权项 | 一种发光二极管的制造方法,包括以下步骤:在基板上依次生长第一覆盖层、有源层以及第二覆盖层;以及将所述第一覆盖层、所述有源层以及所述第二覆盖层图案化为特定的平面形状,并且使得所述有源层的外围部分的至少一部分突出至所述第一覆盖层和所述第二覆盖层中的至少一个的外部。 | ||
地址 | 日本东京 |