一种纳米超级电容的制备方法

摘要

本发明属于纳米超级电容技术领域，具体为一种纳米超级电容的制备方法。本发明首先采用阳极氧化铝和金属辅助刻蚀工艺，在重掺杂的低阻硅片上形成密度高、深宽比大，且高度有序的深槽结构，然后以此深槽结构为模板制备得到纳米超级电容。所述的金属催化刻蚀工艺中，金属催化剂是金、银、铂或钯，腐蚀液是氢氟酸和双氧水的混合溶液。所述纳米超级电容采用重掺杂的硅作为负电极；采用Al2O3、HfO2、Ta2O5或ZrO2作为绝缘介质；采用TiN、TaN或W作为种子金属层；采用Ni或Cu作为正电极。本发明工艺简单，成本低廉，而且制备的电容不易损坏。

主权项

一种纳米超级电容的制备方法，其特征在于，首先采用阳极氧化铝工艺在重掺杂的低阻硅片表面形成了氧化铝模板；然后，利用金属催化刻蚀工艺在硅片上形成高密度、高深宽比而且高度有序的深槽阵列；最后，以硅片中的深槽作为模板形成MIS电容结构。