发明名称 |
MEMS传感器、电子设备 |
摘要 |
本发明提供一种能增大在与基板垂直的方向上改变位置的可动锤部的质量,可使用CMOS工艺自由且易于制造的MEMS传感器。一种MEMS传感器(100A),具有通过联结部(130A)联结在支持部(110)上且在Z方向上移动的可动锤部(120A),其中,可动锤部具有叠层结构体,其包含:多个导电层、在多个导电层间配置的多个层间绝缘层、及填充在贯通多个层间绝缘层的各层而形成的埋置槽图形中且比重比层间绝缘膜更大的插塞,在各层中形成的插塞含有沿与层间绝缘层平行的二维平面的至少一轴方向形成为壁状的壁部。可动电极部(140A)由叠层结构体形成,按照可动锤部的Z方向变位而使可动电极部(140A)和与其对置的固定电极部(150A)之间的对置面积发生改变。 |
申请公布号 |
CN101885465A |
申请公布日期 |
2010.11.17 |
申请号 |
CN201010180708.1 |
申请日期 |
2010.05.14 |
申请人 |
精工爱普生株式会社 |
发明人 |
高木成和 |
分类号 |
B81B7/02(2006.01)I;G01P15/125(2006.01)I |
主分类号 |
B81B7/02(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
张宝荣 |
主权项 |
一种MEMS传感器,具有:支持部;可动锤部;联结部,联结上述支持部和上述可动锤部,并且能够发生弹性变形;第一固定电极部,从上述支持部突出出来;以及第一可动电极部,从上述可动锤部突出出来,并且与上述第一固定电极部对置配置,在第一方向上层叠导电层和绝缘层来形成上述可动锤部,将比重比上述绝缘层大的插塞埋入上述绝缘层,上述导电层与上述第一可动电极部连接,上述第一固定电极部和上述第一可动电极部之一在上述第一方向上具有第一电极部和第二电极部。 |
地址 |
日本东京 |