发明名称 一种铜铬合金选择性表面纳米化的方法
摘要 一种铜铬合金选择性表面纳米化的方法,属于材料技术领域,按以下步骤进行:(1)选取Cr颗粒尺寸为30~180μm的铜铬合金,用刚性丸粒撞击至Cr颗粒尺寸为1~10μm,然后在真空和80~350℃初级退火;(2)将初级退火后的铜铬合金用刚性丸粒撞击至Cr颗粒尺寸为0.1~1μm,然后在真空和280~350℃中级退火;(3)将中级退火后的铜铬合金用刚性丸粒撞击至Cr颗粒尺寸为10~100nm,然后在真空和500~600℃最终退火,在铜铬合金表面制备出纳米层。本发明的方法获得的铜铬合金的表面硬度、击穿电压和电导率均有明显增加,并且最大截流值也明显降低,在电触头材料的应用上具有更良好的效果。本方法设备投资少,操作简单,易于实现工业化。
申请公布号 CN101886235A 申请公布日期 2010.11.17
申请号 CN201010199966.4 申请日期 2010.06.13
申请人 东北大学 发明人 佟伟平;王长久
分类号 C22F1/02(2006.01)I;C22F1/08(2006.01)I 主分类号 C22F1/02(2006.01)I
代理机构 沈阳东大专利代理有限公司 21109 代理人 李在川
主权项 一种铜铬合金选择性表面纳米化的方法,其特征在于按以下步骤进行:(1)选取Cr颗粒尺寸为30~180μm的铜铬合金,将铜铬合金用刚性丸粒撞击进行初级破碎,破碎至铜铬合金中Cr颗粒尺寸为1~10μm,然后将铜铬合金放入真空炉中,在真空度为1×10-4~9×10-3Pa和温度280~350℃条件下进行初级退火,退火时退火时间为10~60min;(2)将初级退火后的铜铬合金用刚性丸粒撞击进行中级破碎,破碎至铜铬合金中Cr颗粒尺寸为0.1~1μm,然后将铜铬合金放入真空炉中,在真空度为1×10-4~9×10-3Pa和温度280~350℃条件下进行中级退火,退火时间为10~60min;(3)将中级退火后的铜铬合金用刚性丸粒撞击进行最终破碎,破碎至铜铬合金中Cr颗粒尺寸为10~100nm,然后将铜铬合金放入真空炉中,在真空度为1×10-4~9×10-3Pa和温度500~600℃条件下进行最终退火,退火时间为30~120min,在铜铬合金表面制备出纳米层。
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