用于TSV绝缘层的超薄膜湿法制备方法

摘要

一种微电子材料技术领域的用于TSV绝缘层的超薄膜湿法制备方法。包括：<1>将经过DRIE刻蚀的硅片与导电装置连接为阳极或者阴极系统，作为导电装置接电泳仪器的正极或者负极，构成回路；<2>将与导电装置连接好的硅片放入电泳镀膜溶液中；<3>打开电源开始电泳镀膜；<4>生长完毕后，关闭电源，将硅片从电泳镀膜溶液中取出，用去离子水超声清洗硅通孔，洗去悬浮涂料；<5>将清洗干净的电泳镀膜硅片，进行初次烘干、二次烘干处理。本发明制备出了超薄的绝缘膜，膜厚为1μm-3μm；具有良好的结合力，测试结果表明绝缘膜的击穿电压可达2mV/cm以上；工艺流程可以在低温下操作，镀层生长速度快，工艺成本低。

主权项

一种用于TSV绝缘层的超薄膜湿法制备方法，其特征在于，包括以下步骤：<1>将经过DRIE刻蚀的硅片与导电装置连接为阳极或者阴极系统，作为导电装置接电泳仪器的正极或者负极，构成回路；<2>将与导电装置连接好的硅片放入电泳镀膜溶液中；<3>打开电源开始电泳镀膜；<4>生长完毕后，关闭电源，将硅片从电泳镀膜溶液中取出，用去离子水超声清洗硅通孔，洗去悬浮涂料；<5>将清洗干净的电泳镀膜硅片，进行初次烘干、二次烘干处理。