| 发明名称 | 可控硅器件的复合平面终端钝化结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型一种可控硅器件的复合平面终端钝化结构，其特征在于所述结构包括芯片硅衬底层(1)，在所述芯片硅衬底层(1)表面复合有钝化层(2)，在所述钝化层(2)表面依次复合有第一保护层(3)、第二保护层(4)和第三保护层(5)，且在所述芯片硅衬底层(1)表面留出阴极和门极引线孔窗口；所述钝化层(2)材料采用半绝缘掺氧多晶硅，第一保护层(3)和第三保护层(5)材料均采用二氧化硅，第二保护层(4)材料采用磷硅玻璃。本实用新型的钝化结构能够提高可控硅产品参数稳定性、可控性，减小芯片面积，缩短生产流程，减少碎片率，降低生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN201638821U | 申请公布日期 | 2010.11.17 |
| 申请号 | CN201020123842.3 | 申请日期 | 2010.03.04 |
| 申请人 | 江阴新顺微电子有限公司 | 发明人 | 王新潮;冯东明;高善明;李建立 |
| 分类号 | H01L29/74(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/74(2006.01)I |
| 代理机构 | 江阴市同盛专利事务所 32210 | 代理人 | 唐纫兰 |
| 主权项 | 一种可控硅器件的复合平面终端钝化结构，其特征在于所述结构包括芯片硅衬底层(1)，在所述芯片硅衬底层(1)表面复合有钝化层(2)，在所述钝化层(2)表面依次复合有第一保护层(3)、第二保护层(4)和第三保护层(5)，且在所述芯片硅衬底层(1)表面留出阴极和门极引线孔窗口；所述钝化层(2)材料采用半绝缘掺氧多晶硅，第一保护层(3)和第三保护层(5)材料均采用二氧化硅，第二保护层(4)材料采用磷硅玻璃。 | ||
| 地址 | 214431 江苏省江阴市滨江中路275号 | ||