发明名称 一种超临界二氧化碳吹洗硅片系统
摘要 本实用新型公开了一种超临界二氧化碳吹洗硅片系统,包括:氟化氢源、液态二氧化碳源、第一流量控制阀、第二流量控制阀、加热器、高压泵、高压密闭腔室(5)、针型阀(8)、溢出腔(9)、碱性溶液(10)、过滤纯化装置(11)和冷凝系统(12)。利用本实用新型,提高了杂质去除率,减少了硅片的整体缺陷,提高了最终成品率。
申请公布号 CN201632452U 申请公布日期 2010.11.17
申请号 CN200920350780.7 申请日期 2009.12.30
申请人 中国科学院微电子研究所 发明人 王磊;惠瑜;高超群;景玉鹏
分类号 B08B5/02(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I 主分类号 B08B5/02(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 周国城
主权项 一种超临界二氧化碳吹洗硅片系统,其特征在于,该系统包括:氟化氢源,用于提供氟化氢气体,去除硅片表面的自然氧化层;液态二氧化碳源,用于提供二氧化碳气体,清洗硅片表面的颗粒以及有机物薄膜;第一流量控制阀(1),安装于氟化氢源与高压泵(4)之间的管道上,用于控制氟化氢气体的流量;第二流量控制阀(2),安装于液态二氧化碳源与高压泵(4)之间的管道上,用于控制二氧化碳气体的流量;加热器(3),安装于高压泵(4)与高压密闭腔室(5)之间的气体输入管道上,用于加热二氧化碳使其达到临界温度;高压泵(4),安装于加热器(3)与第一流量控制阀(1)或第二流量控制阀(2)之间的气体输入管道上,用于控制进入高压密闭腔室(5)中氟化氢和二氧化碳的气体压力;高压密闭腔室(5),内部安装有可旋转支架(7),该可旋转支架(7)上固定有待清洗硅片(6);针型阀(8),安装于高压密闭腔室(5)的气体输出管道上,用于控制气体的流通;溢出腔(9),安装于高压密闭腔室(5)气体输出管道的针型阀(8)之后,用于缓冲从高压密闭腔室(5)中出来的气体;碱性溶液(10),安装于高压密闭腔室(5)气体输出管道的溢出腔(9)之后,用于去除尾气中的HF和反应产物;过滤纯化装置(11),安装于高压密闭腔室(5)气体输出管道的碱性溶液(10)之后,用于干燥和纯化尾气中的二氧化碳;以及冷凝系统(12),安装于过滤纯化装置(11)与液态二氧化碳源之间,用于使干燥和纯化后二氧化碳变为液态。
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