发明名称 | 半导体芯片的制备方法 | ||
摘要 | 提供了半导体芯片的制备方法。该方法防止了在处理该晶片的过程中对芯片保护膜的损伤,由此提高了生产收率、切割过程中的切割性质,并降低了该晶片的弯曲。该方法包括将保护膜形成片材结合到半导体晶片上以使得该保护膜与该半导体晶片的后表面接触,该保护膜形成片材包括在其一个表面上的具有可脱模性的基底膜和由热固性树脂组合物构成的半导体芯片保护膜,然后固化该保护膜,和然后从所得到的固化的保护膜上剥离该基底膜。 | ||
申请公布号 | CN101887843A | 申请公布日期 | 2010.11.17 |
申请号 | CN201010180248.2 | 申请日期 | 2010.05.14 |
申请人 | 信越化学工业株式会社 | 发明人 | 市六信广;横田龙平 |
分类号 | H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 段晓玲;艾尼瓦尔 |
主权项 | 半导体芯片的制备方法,该方法包括:将保护膜形成片材结合到半导体晶片上以使得该保护膜与该半导体晶片的后表面接触,该保护膜形成片材包括在一个表面上的具有可脱模性的基底膜和提供在具有可脱模性的基底膜的表面上的由热固性树脂组合物构成的半导体芯片保护膜,然后固化该保护膜,和然后从所得到的固化的保护膜上剥落该基底膜。 | ||
地址 | 日本东京都千代田区大手町2丁目6番1号 |