| 发明名称 | 一种硅基氧化锌双向直流紫外电致发光器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明的硅基氧化锌双向直流紫外电致发光器件，在n型硅衬底的正面自下而上依次沉积SiO2薄膜、ZnO薄膜、MgxZn1-xO(0<x≤0.3)薄膜和半透明电极，在硅衬底背面沉积欧姆接触电极。制备步骤依次为：用电子束蒸发或等离子体增强化学气相沉积法在清洗的n型硅片上生长SiO2薄膜；用直流反应磁控溅射或溶胶—凝胶法在SiO2薄膜上生长ZnO薄膜并在氧气氛下进行热处理；用直流反应磁控溅射或溶胶—凝胶法在ZnO薄膜上生长MgxZn1-xO薄膜；在MgxZn1-xO薄膜和硅衬底背面分别溅射半透明电极和欧姆接触电极。本发明的硅基氧化锌双向直流紫外电致发光器件结构简单，在直流正向和反向偏压下均可产生紫外电致发光。 | ||
| 申请公布号 | CN101404313B | 申请公布日期 | 2010.11.17 |
| 申请号 | CN200810122222.5 | 申请日期 | 2008.11.04 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 陈培良;马向阳;李东升;杨德仁 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人 | 韩介梅 |
| 主权项 | 一种硅基氧化锌双向直流紫外电致发光器件，其特征是在n型硅衬底(1)的正面自下而上依次沉积有SiO2薄膜(2)、ZnO薄膜(3)、MgxZn1-xO薄膜(4)、0＜x≤0.3，和半透明电极(5)，在n型硅衬底背面沉积有欧姆接触电极(6)。 | ||
| 地址 | 310027 浙江省杭州市浙大路38号 | ||