| 发明名称 | 半导体存储设备 | ||
| 摘要 | 半导体存储设备，包括：多个存储单元，配置为存储具有依赖于在第一和第二电压驱动线路之间流动的电流方向的逻辑状态的数据；电流产生器，配置为产生预定的读取电流、向多个存储单元施加预定的读取电流并且产生依赖于数据的、与读取电流变化相对应的数据电流；和电流控制器，连接到读取电流的电流路径并且被配置为控制读取电流的电流量。 | ||
| 申请公布号 | CN101887745A | 申请公布日期 | 2010.11.17 |
| 申请号 | CN200910161884.8 | 申请日期 | 2009.08.05 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 徐雨玹;卢光明 |
| 分类号 | G11C11/15(2006.01)I;G11C11/16(2006.01)I;G11C7/06(2006.01)I;G11C7/08(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/15(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 杨林森;康建峰 |
| 主权项 | 一种半导体存储设备，包括：多个存储单元，配置为存储具有依赖于在第一和第二电压驱动线路之间流动的电流方向的逻辑状态的数据；电流产生器，配置为产生预定的读取电流、向所述多个存储单元施加所述预定的读取电流并且产生依赖于所述数据的、与读取电流的变化相对应的数据电流；和电流控制器，连接到读取电流的电流路径并且配置为控制读取电流的电流量。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||