| 发明名称 | 半导体存储装置及其操作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体存储装置及其操作方法，该存储装置包括：多个存储单元，其被配置成储存具有极性的数据，该极性对应于流过源极线及位线的电流的方向；及预充电驱动单元，其被配置成在数据储存于存储单元中之前、响应于预充电信号而将位线预充电至对应于数据的电压。 | ||
| 申请公布号 | CN101887746A | 申请公布日期 | 2010.11.17 |
| 申请号 | CN200910173693.3 | 申请日期 | 2009.09.15 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 卢光明;徐雨玹 |
| 分类号 | G11C11/40(2006.01)I;G11C11/4063(2006.01)I;G11C11/413(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 杨林森;康建峰 |
| 主权项 | 一种半导体存储装置，包括：多个存储单元，被配置成储存具有与流过源极线及位线的电流的方向相对应的极性的数据；及预充电驱动单元，被配置成在数据被储存于存储单元中之前、响应于预充电信号而将所述位线预充电至对应于数据的电压。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||