| 发明名称 | 半导体器件的栅极及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种形成半导体器件的栅极的方法包括以下步骤的至少其中之一：在晶圆衬底上方形成栅氧化物层。在栅氧化物层上方形成多晶硅层。在多晶硅层上方形成TiSiN层。在TiSiN层上方形成WSix层。 | ||
| 申请公布号 | CN101136328B | 申请公布日期 | 2010.11.17 |
| 申请号 | CN200710142098.4 | 申请日期 | 2007.08.27 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 全东基 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 徐金国;梁挥 |
| 主权项 | 一种在半导体器件中形成栅极的方法，包括：在晶圆衬底上方形成栅氧化物层；在所述栅氧化物层上方形成多晶硅层；在所述多晶硅层上方形成TiSiN层；以及在所述TiSiN层上方形成WSix层，通过形成TiN层、然后在整个所述TiN层上执行等离子体处理以形成等离子体处理的TiN层、以及然后以10sccm和5000sccm间的流速将SiH4气体喷射在所述等离子体处理的TiN层上从而形成非晶态层的所述TiSiN层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||