发明名称 |
新型全压接式的大功率IGBT多模架陶瓷管壳 |
摘要 |
本发明涉及一种新型全压接式的大功率IGBT多模架陶瓷管壳,适合用做全压接式的大功率IGBT器件的封装外壳。包括大阳法兰(1)、瓷环(2)、小阳法兰(3)、模架群(5)、阴极插片(4)和门极引线管,大阳法兰(1)、瓷环(2)和小阳法兰(3)上下叠合同心封接,模架群(5)封接于小阳法兰(3)的中心孔内,所述模架群(5)包含有若干个二极管芯片模架(5-1)和多个IGBT芯片模架(5-2),所述阴极插片(4)插置于小阳法兰(3)的外壁面上,所述门极引线管穿接于瓷环(2)的壳壁上,门极引线管由门极导电芯(9)、门极外套(6)、门极密封罩(8)、门极外插片(7)和门极内插片(10)组成。本发明新型全压接式的大功率IGBT多模架陶瓷管壳,既可以提高散热效果,又可以将器件体积做得较小。 |
申请公布号 |
CN101266952B |
申请公布日期 |
2010.11.17 |
申请号 |
CN200810018692.7 |
申请日期 |
2008.03.12 |
申请人 |
江阴市赛英电子有限公司 |
发明人 |
徐宏伟;张峰;耿建标 |
分类号 |
H01L23/02(2006.01)I;H01L23/04(2006.01)I;H01L23/08(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/02(2006.01)I |
代理机构 |
江阴市同盛专利事务所 32210 |
代理人 |
唐纫兰 |
主权项 |
一种新型全压接式的大功率IGBT多模架陶瓷管壳,其特征在于所述管壳包括大阳法兰(1)、瓷环(2)、小阳法兰(3)、模架群(5)、阴极插片(4)和门极引线管,所述大阳法兰(1)、瓷环(2)和小阳法兰(3)上下叠合同心封接,模架群(5)封接于小阳法兰(3)的中心孔内,所述模架群(5)包含有若干个二极管芯片模架(5-1)和多个IGBT芯片模架(5-2),所述阴极插片(4)插置于小阳法兰(3)的外壁面上,所述门极引线管穿接于瓷环(2)的壳壁上,门极引线管包括门极导电芯(9)、门极外套(6)、门极密封罩(8)、门极外插片(7)和门极内插片(10),门极导电芯(9)穿接于瓷环(2)的壳壁上,门极导电芯(9)外端露出瓷环(2)外,门极导电芯(9)内端置于瓷环(2)内,门极外套(6)套置于门极导电芯(9)上,门极密封罩(8)封装于门极导电芯(9)和门极外套(6)的外端,门极外插片(7)套接于门极密封罩(8)上,门极内插片(10)向上套接于门极导电芯(9)内端。 |
地址 |
214432 江苏省江阴市澄江镇花山路81号 |