一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

摘要

本发明提供了一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。该薄膜晶体管阵列基板包括基板，第一金属层，绝缘层，半导体层，第二金属层，钝化层和透明电极层依续形成在该基板上，其中第一金属层至少具有三层铝薄膜，然第二金属层亦可为三层铝薄膜组成，该三层铝薄膜具有不同的膜质致密度且在不同的镀膜参数下形成。因此，本发明至少具有三层铝薄膜不仅具有低电阻率的特性，而且还可以防止铝金属在高温镀膜过程中产生的小丘(hillock)生长的现象。

主权项

一种薄膜晶体管阵列基板，其包括有一基板，形成一第一金属层于该基板上，再于该基板上形成一绝缘层覆盖该第一金属层，并于该绝缘层上形成一半导体层，一第二金属层形成于该半导体层上部分区域，并由一钝化层覆盖该第二金属层及该半导体层，一透明电极层在该钝化层上形成并覆盖，其特征在于：该第一金属层为多层薄膜结构，其至少具有三层铝薄膜，该三层铝薄膜系为第一铝薄膜、第二铝薄膜及第三铝薄膜，其中该第二铝薄膜系覆盖在该第一铝薄膜上，且该第二铝薄膜夹置于该第一铝薄膜和第三铝薄膜之间。