发明名称 | 高电容率低漏电的电容器和能量存储器件及其形成方法 | ||
摘要 | 提供了一种制备用于电容器中的高电容率电介质材料的方法。公开了在有机非导电介质中具有增强的特性的若干高电容率的材料及其制备方法。公开了用于形成某些特定电介质材料的薄膜的通用方法,其中使用有机聚合物、虫胶、硅树脂油和/或玉米蛋白制剂来产生低导电率电介质涂料。此外,示范了在低温下使用无毒还原剂来将某些过渡金属盐形成为盐或氧化物基体的方法。此外,为了提高这类器件的制造成品率和使用性能,提供了用于从长期存储电容器中恢复和再生漏电流的电路结构和相关的操作方法。 | ||
申请公布号 | CN101889321A | 申请公布日期 | 2010.11.17 |
申请号 | CN200880119265.6 | 申请日期 | 2008.10.03 |
申请人 | D·卡弗 | 发明人 | D·卡弗 |
分类号 | H01G4/10(2006.01)I | 主分类号 | H01G4/10(2006.01)I |
代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 赵蓉民 |
主权项 | 一种高电容率电容器,包括:一对平行电极;以及被放置在所述一对电极之间的高电容率材料,所述高电容率材料包括高电容率电介质材料和绝缘电介质材料的混合物。 | ||
地址 | 美国科罗拉多州 |