| 发明名称 | 具有应力缓冲圈的贯穿硅的过孔的形成方法及所得器件 | ||
| 摘要 | 一种具有应力缓冲圈(250)的过孔(230)的形成方法，其中所述应力缓冲圈可以吸收由周围材料的热膨胀系数的失配所引起的应力。介绍了其他的实施例并要求其权利。 | ||
| 申请公布号 | CN101199049B | 申请公布日期 | 2010.11.17 |
| 申请号 | CN200680021348.2 | 申请日期 | 2006.06.28 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | L·阿拉纳;D·纳特卡;M·纽曼;C·古鲁默西 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 王英 |
| 主权项 | 一种形成过孔的方法，包括：在衬底中形成过孔，所述衬底包括第一材料；在所述过孔中沉积一层缓冲材料，使得该缓冲材料完全填充所述过孔；在所述缓冲材料中形成孔，所述孔延伸到邻近所述过孔的底部；以及在所述过孔内在所述缓冲材料中的孔中沉积第二材料，其中所述缓冲材料能够吸收由所述第一和第二材料之间的热膨胀失配所引起的应力。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||