| 主权项 |
一种磁性记忆体，包括：一堆叠，其包含一磁性固定层(magnetic pinned layer)、一穿隧能障绝缘层(tunnel barrier)以及一磁性自由层(magnetic free layer)以形成一磁性穿隧接面(Magnetic Tunnel Junction,MTJ)，其中该磁性穿隧接面具有一长轴；一第一写入导线，配置于该堆叠下方，且于一投影面上该第一写入导线与该磁性穿隧接面之长轴方向二者夹角小于45度且大于0度；以及一第二写入导线，配置于该堆叠上方，且于该投影面上，该第二写入导线与该磁性穿隧接面之长轴方向二者夹角小于45度且大于0度。如申请专利范围第1项所述之磁性记忆体，其中该磁性固定层包括：一第一铁磁层；一第一非磁性金属层；以及一第二铁磁层。如申请专利范围第2项所述之磁性记忆体，其中该第一铁磁层与该第二铁磁层之磁场强度不相等。如申请专利范围第1项所述之磁性记忆体，其中该磁性固定层为人造反铁层(synthetic anti－ferromagnetic,SAF)结构。如申请专利范围第1项所述之磁性记忆体，其中该磁性固定层提供一偏压磁场至该磁性自由层。如申请专利范围第1项所述之磁性记忆体，其中该磁性自由层包括：一第三铁磁层；一第二非磁性金属层；以及一第四铁磁层。如申请专利范围第1项所述之磁性记忆体，其中该磁性自由层为人造反铁层(synthetic anti－ferromagnetic,SAF)结构。一种磁性记忆体之制造方法，包括：提供一基底；于该基底上方形成一第一写入导线；于该第一写入导线上方形成一堆叠，其包含一磁性固定层(magnetic pinned layer)、一穿隧能障绝缘层(tunnel barrier)以及一磁性自由层(magnetic free layer)以形成一磁性穿隧接面(Magnetic Tunnel Junction,MTJ)，其中该磁性穿隧接面具有一长轴，且于一投影面上该第一写入导线与该磁性穿隧接面之长轴方向二者夹角小于45度且大于0度；以及于该堆叠上方形成一第二写入导线，且于该投影面上，该第二写入导线与该磁性穿隧接面之长轴方向二者夹角小于45度且大于0度。如申请专利范围第8项所述磁性记忆体之制造方法，其中该磁性固定层包括一第一铁磁层、一第一非磁性金属层以及一第二铁磁层。如申请专利范围第9项所述磁性记忆体之制造方法，其中该第一铁磁层与该第二铁磁层之磁场强度不相等。如申请专利范围第8项所述磁性记忆体之制造方法，其中该磁性固定层提供一偏压磁场至该磁性自由层。如申请专利范围第8项所述磁性记忆体之制造方法，其中该磁性固定层为人造反铁层(synthetic anti-ferromagnetic,SAF)结构。如申请专利范围第8项所述磁性记忆体之制造方法，其中该磁性自由层包括一第三铁磁层、一第二非磁性金属层以及一第四铁磁层。如申请专利范围第8项所述磁性记忆体之制造方法，其中该磁性自由层为人造反铁层(synthetic anti-ferromagnetic,SAF)结构。 |
