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一种在工作室中监测化学利用之方法，包含：利用具有电浆产生器的光谱仪监测在工作室中的气体，其以气体方式与工作室连接；以已知量或浓度的第一化学物流进工作室，校正监测工作，并观察第二化学物的一个或多个光谱波峰的强度，光谱波峰相当于第一化学物的消耗；且将第一化学物导入，并在工作物件上制造或成形一层，而以光谱波峰的强度为基础，观察第一化学物随时间的消耗型态。如申请专利范围第1项之方法，其中导入步骤中所制造或成形的层为一种或多种半导体装置结构的层；且进一步包含在第一化学物随时间消耗的型态符合了工作标准之后，推进到在工作物件上制造结构物的下一步骤。如申请专利范围第2项之方法，其中该工作标准为第一化学物随时间消耗的累积量。如申请专利范围第2项之方法，其中第一化学物为与一种或多种其他气体混合的前驱物，且该工作标准相当于供制造层的气体混合物中有充足量的前驱物。如申请专利范围第2项之方法，其中第一化学物为液体前驱物，其与一种或多种其他气体混合，且该工作标准相当于供制造层的气体混合物中有充足量的前驱物。如申请专利范围第4项之方法，其中该工作标准是在供制造或成形的工作室中对电浆施以能量之前加以评估。如申请专利范围第2项之方法，其中该工作标准为在第一化学物在一相对稳定的消耗型态之后，相当于工作室中一个或多个反应的改变而变化消耗速率。如申请专利范围第2项之方法，其中该工作标准为第一化学物在第一相对稳定的消耗型态接着相当于工作室中一个或多个反应的改变而变化消耗速率之后的第一化学物的第二相对稳定的消耗型态。如申请专利范围第2项之方法，其中第一化学物为会与电浆产生器中的泄漏气体起反应的泄漏侦测气体，而产生第二化学物；校正步骤进一步包含使已校正的泄漏气体流入工作室；且方法规范为实质上不含泄漏气体。如申请专利范围第9项之方法，其中导入第一化学物系在进行制造与成形之前；且随时间的观察系与导入第一化学物相一致。如申请专利范围第9项之方法，其中该工作标准是在供制造或成形的工作室中对电浆施以能量之前加以评估。如申请专利范围第9项之方法，其中泄漏侦测气体为碳氟化合物。如申请专利范围第9项之方法，其中泄漏侦测气体为CF4。如申请专利范围第9项之方法，其中泄漏侦测气体为硫氟化合物。如申请专利范围第9项之方法，其中泄漏侦测气体为SF6。如申请专利范围第2项之方法，其中第一化学物为泄漏侦测气体，其在工作室与电浆产生器之间导入，并与电浆产生器中的泄漏气体起反应，产生第二化学物；该校正进一步包含将已校正的泄漏气体流进电浆产生器中；且该工作标准为实质上不含泄漏气体。如申请专利范围第16项之方法，其中该工作标准是在供制造或成形的工作室中对电浆施以能量之前加以评估。如申请专利范围第2项之方法，其中第一化学物为泄漏追踪气体，其与其他气体反应产生第二化学物；且该工作标准为实质上不含泄漏追踪气体。如申请专利范围第18项之方法，其中泄漏追踪气体为在工作室周围的大气环境中实质上缺乏的气体，其经导入工作室周围的大气环境，以定出一个或多个泄漏。如申请专利范围第19项之方法，其中漏追踪气体包含碳化合物。如申请专利范围第2项之方法，进一步包含对测试工作物件施以一次或多次的导入及制造或成形步骤，并以第一化学物随时间消耗的累积量为基础，对层的制造或成形建立制造时间的标准；且使用该制造时间的标准在制造的工作物件上制造或成形一种或多种结构的层，其中前进至下一步骤的工作标准为该制造时间的标准。如申请专利范围第2项之方法，进一步包含对测试工作物件施以一次或多次的导入及制造或成形步骤，并以第一化学物在一相对稳定的消耗型态之后相当于工作室中的反应改变的消耗速率的改变为基础，对层的制造或成形建立制造时间的标准；且使用该制造时间的标准在制造的工作物件上制造或成形一种或多种结构的层，其中前进至下一步骤的工作标准为该制造时间的标准。如申请专利范围第2项之方法，进一步包含对测试工作物件施以一次或多次的导入及制造或成形步骤，并以第一化学物的第二相对稳定的消耗型态为基础，建立供层的制造或成形的制造时间标准，其接在第一相对稳定的消耗型态接着相当于工作室中反应改变的第一化学物的消耗速率改变之后；且使用该制造时间的标准在制造的工作物件上制造或成形一种或多种结构的层，其中前进至下一步骤的工作标准为该制造时间的标准。如申请专利范围第1项之方法，其中在工作室与具有电浆产生器的光谱仪之间的气体连接包括将来自于工作室排放的排气导向电浆产生器。如申请专利范围第1项之方法，其中在工作室与具有电浆产生器的光谱仪之间的气体连接包括从工作室上的接口扩散进电浆产生器。如申请专利范围第1项之方法，进一步包含以第一化学物随时间消耗的累积量为基础，在工作物件上控制工作。如申请专利范围第1项之方法，其中第一化学物为液体前驱物，其与一种或多种其他气体混合，并进一步包含以供制造层的气体混合物中有充足量的前驱物为基础，在工作物件上控制工作。如申请专利范围第1项之方法，其中第一化学物为与一种或多种其他气体混合前驱物，并进一步包含以供层的成形的气体混合物中有充足量的前驱物为基础，在工作物件上控制工作。如申请专利范围第28项之方法，其中前驱物的充足性是在用以制造或成形的工作室中对电浆施以能量之前加以评估。如申请专利范围第1项之方法，进一步包含在工作物件上的控制工作，其以第一化学物在一相对稳定的消耗型态之后，相当于工作室中一个或多个反应改变的消耗速率的变化为基础。如申请专利范围第1项之方法，进一步包含在工作物件上的控制工作，其以第一化学物在第一相对稳定的消耗型态之后，接着相当于工作室中一个或多个反应改变的消耗速率变化之后的第一化学物的第二相对稳定的消耗型态为基础。如申请专利范围第1项之方法，其中第一化学物为会与电浆产生器中的泄漏气体起反应以产生第二化学物的泄漏侦测气体；校正步骤进一步包含使已校正的泄漏气体流入工作室；且进一步包含以实质上不含泄漏气体为基础，在工作物件上控制工作。如申请专利范围第32项之方法，其中导入第一化学物，系在进行制造与成形之前；且随时间的观察系与导入第一化学物相一致。如申请专利范围第32项之方法，其中实质上不含泄漏气体的评估是在供制造或成形的工作室中对电浆施以能量之前。如申请专利范围第1项之方法，其中第一化学物为导入工作室与电浆产生器之间的泄漏侦测气体，其与电浆产生器中的泄漏气体起反应产生第二化学物，且校正步骤进一步包含使已校正的泄漏气体流入工作室；进一步包含以实质上不含泄漏气体为基础，在工作物件上控制工作。如申请专利范围第35项之方法，其中实质上不含泄漏气体的评估是在供制造或成形的工作室中对电浆施以能量之前。如申请专利范围第35项之方法，其中第一化学物为泄漏追踪气体，其与其他气体反应产生第二化学物；进一步包含以实质上不含泄漏追踪气体为基础，在工作物件上控制工作。如申请专利范围第37项之方法，其中漏追踪气体为在工作室周围的大气环境中实质上缺乏的气体，将其导入工作室周围的大气环境，以定出一个或多个泄漏。如申请专利范围第1项之方法，进一步包含对测试工作物件施以一次或多次的导入及制造或成形步骤，并以第一化学物随时间消耗的累积量为基础，对层的制造或成形建立制造时间的标准；且使用该制造时间的标准在制造的工作物件上制造或成形一种或多种结构的层。如申请专利范围第1项之方法，进一步包含对测试工作物件施以一次或多次的导入及制造或成形步骤，并以第一化学物在一相对稳定的消耗型态之后相当于工作室中的反应改变的消耗速率的改变为基础，对层的制造或成形建立制造时间的标准；且使用该制造时间的标准在制造的工作物件上制造或成形一种或多种结构的层。如申请专利范围第1项之方法，进一步包含对测试工作物件施以一次或多次的导入及制造或成形步骤，并以第一化学物的第二相对稳定的消耗型态为基础，建立供层的制造或成形的制造时间标准，其接在第一相对稳定的消耗型态接着相当于工作室中反应改变的第一化学物的消耗速率改变之后；且使用该制造时间的标准在制造的工作物件上制造或成形一种或多种结构的层。一种在工作室中化学利用的监测器，包含：在工作室外部并以气体与其相连接的电浆产生器；包含与电浆产生器光学相连接的侦测器的光谱仪；与包含侦测器的光谱仪电子相连接的装置，此装置包含调适成如下的逻辑与资源：使用含有侦测器的光谱仪，藉由观察一个或多个光谱波峰的强度，监测工作室中的气体；校正此监测，利用已知量或浓度的第一化学物流进工作室中的回应，藉由观察一个或多个第二化学物的光谱波峰的强度，此波峰相当于第一化学物的消耗；且以光谱波峰的强度为基础，观察第一化学物随时间消耗的型态，其回应于导入第一化学物并在工作物件上制造或成形一层。如申请专利范围第42项之监测器，其中在导入步骤中所制造或成形的层为一个或多个半导体装置结构的一层；且逻辑与资源进一步调适成当，第一化学物随时间消耗的型态符合工作标准后，前进至工作物件上制造结构之下一步骤。如申请专利范围第42项之监测器，其中逻辑与资源进一步调适成回应第一化学物随时间消耗的型态的改变，而在工作物件上控制工作。 |
