| 主权项 |
一种金属配位基化合物，其具有下述式(1)所示之部分构造，@sIMGTIF!d10062.TIF@eIMG!〔式中，R1~R3及R5各自独立表示氢原子、氰基、硝基、卤原子、可取代或无取代之碳原子数1~20之烷基、可取代或无取代之胺基、可取代或无取代之碳原子数1~20之烷氧基、可取代或无取代之碳原子数1~20之烷基矽烷基、可取代或无取代之碳原子数1~20之醯基，或可取代或无取代之碳原子数1~30之芳香族基；R4表示氰基、硝基、卤原子、可取代或无取代之碳数1~20之烷基、可取代或无取代之胺基、可取代或无取代之碳数1~20之烷氧基、可取代或无取代之碳数1~20之烷基矽烷基、可取代或无取代之碳数1~20之醯基，或可取代或无取代之碳数1~30之芳香族基；R1与R2可相互键结形成选自苯、吡碇、萘、苯并噻唑、喹啉、噻唑、呋喃、苯并呋喃及9,9-二甲基茀之环构造；R3与R4、R4与R5系可互相键结形成环构造，p及q系各为0~3之整数，p+q系2或3；又p为2以上之整数时，复数之R3为可互相键结形成环构造；q为2以上之整数时，复数之R5可互相键结形成环构造；惟，p为0且q为2时，复数之R5不相互键结形成环，又，p为0且为2时R1与R2相互键结形成未被苯基取代之环构造；M系铱(Ir)、铑(Rh)、铂(Pt)或钯(Pd)之金属原子〕。如申请专利范围第1项之金属配位基化合物，其中，前述金属配位基化合物系发光元件用材料者。如申请专利范围第1项之金属配位基化合物，其中，前述式(1)所示之部分构造系下述(i)~(iii)及(v)~(vii)之任一项所示者，@sIMGTIF!d10063.TIF@eIMG!(式中，R4与前述相同)。如申请专利范围第1项之金属配位基化合物，其中，前述式(1)所示之部分构造系下述(i')~(iii')及(v')~(vii')之任一项所示者，@sIMGTIF!d10064.TIF@eIMG!(式中，R4与前述相同)。如申请专利范围第1项之金属配位基化合物，其为下述式1~3、5~7、1'~3'及5'~7'之任一项所示之金属配位基化合物，@sIMGTIF!d10065.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10066.TIF@eIMG!〔式中，T5~T9为各自独立表示氢原子、氰基、硝基、卤原子、可取代或无取代之碳原子数1~20之烷基、可取代或无取代之胺基、可取代或无取代之碳原子数1~20之烷氧基、可取代或无取代之碳原子数1~20之烷基矽烷基、可取代或无取代之碳原子数1~20之醯基、或可取代或无取代之碳原子数1~30之芳香族基；惟，T5与T6键结于氮原子时，彼等不为氢原子；又，同一之环构造或同一之缩合环构造上之T5~T9中之T5与T6、T6与T7、T7与T8、T8与T9系可互相键结形成环构造；M系铱(Ir)、铑(Rh)、铂(Pt)或钯(Pd)之金属原子，L1及L2系，@sIMGTIF!d10067.TIF@eIMG!之任一项所示之构造，n系0~2之整数，m系0~1之整数，G为下述之基中任一项所示之基，@sIMGTIF!d10068.TIF@eIMG!(...系表示与前述M之共价键)(Ph中之T1~T4系各自独立表示氢原子、氰基、硝基卤原子、可取代或无取代之碳原子数1~20之烷基、可取代或无取代之胺基、可取代或无取代之碳原子数1~20之烷氧基、可取代或无取代之碳原子数1~20之烷基矽烷基、或可取代或无取代之碳原子数1~20之醯基)。一种有机电致发光元件，其系在一对之电极间夹持者具有至少发光层之一层或复数层所成之有机薄膜层之有机电致发光元件中，其特征为，该有机薄膜层之至少1层系含有如申请专利范围第1项之金属配位基化合物，且藉由在两极间施加电压而发光。如申请专利范围第6项之有机电致发光元件，其中前述发光层含有前述金属配位基化合物。如申请专利范围第6项之有机电致发光元件，其中含有金属配位基化合物之层系藉由涂布而成膜所成。 |
