发明名称 用以使用在一晶圆制造系统中之整体成形烤盘单元
摘要
申请公布号 TWI333231 申请公布日期 2010.11.11
申请号 TW093102929 申请日期 2004.02.09
申请人 ASML控股公司 发明人 罗伯特P 曼戴尔
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种用在晶圆生产制造厂的烤盘,该烤盘包含:一热传导材质的碟片,其具有一上表面及下表面;以及该下表面定义至少一连续通道样式,其可填充传导性电阻性材质,当从正交于该碟片的该上表面的一平面上看时,该通道样式具有一非一致的深度;以及一电气传导性的电阻材质,配置来填充该通道样式在该下表面中;该电气传导性电阻材质于连结至电源时产生热,使得与该上表面接触的晶圆实质上均匀加热整个该上表面。如申请专利范围第1项的烤盘,其中该热传导材质为铜,及在该铜及该电气传导性的电阻材质之间进一步包含一绝缘材料。如申请专利范围第1项的烤盘,其中该电气传导性的电阻材质为传导性胶,在该通道样式的整个连续长度上具有一致的电阻率。如申请专利范围第1项的烤盘,其中该电气传导性的电阻材质为传导性胶,其经选择以在该通道样式的连续长度上具有变动性电阻率。如申请专利范围第1项的烤盘,其中,在正交于该上表面的平面上看时,该通道样式具有一致的区域。如申请专利范围第1项的烤盘,其中,在正交于该上表面的平面上看时,该通道样式具有一非一致的区域。如申请专利范围第1项的烤盘,其中该热传导材质为铜,且该铜的表面包含由(a)电镀及(b)溅镀中的至少一个形成的一层镍。如申请专利范围第1项的烤盘,其中该烤盘的最外面表面被覆盖以化学蒸发沈淀之类钻石薄膜。如申请专利范围第1项的烤盘,其还包含用以降低该烤盘温度之装置,该用来降低温度之装置配置成与该下表面接触。一种用在晶圆生产制造厂的烤盘,此烤盘包含:一有上表面及下表面的铜碟片;该下表面定义至少一个可以电气传导性电阻材质填充的连续通道样式,当从正交于该碟片的该上表面的一平面上看时,该通道样式具有一非一致的深度;及一电气传导性电阻材质,其配置以填充在该下表面中的该通道样式,并且与该铜碟片电气绝缘;其中该样式的至少一形状及该电阻材质的电阻率经选择以减小整个该上表面的热变动;该电气传导性电阻材质在连接到电源时产生热,使得与该上表面接触的晶圆在整个该上表面被实质均匀地加热。如申请专利范围第10项的烤盘,其中该电气传导性电阻材质有从一群组中选出的至少一个特质:(a)该材质为导线、(b)该材质为电阻性胶,其在该通道样式的整个连续长度有均匀的电阻率及(c)该材质为电阻性胶,其在该通道样式的整个连续长度有不均匀的电阻率。如申请专利范围第10项的烤盘,其中,当从正交于该上表面的平面上看时,该通道样式具有一致的区域及一非一致的区域之至少之一者。如申请专利范围第10项的烤盘,其中该碟片的表面包含由(a)电镀及(b)溅镀的至少一个形成的一层镍。如申请专利范围第10项的烤盘,其中该烤盘的最外面表面覆盖有以化学蒸汽沈淀之类钻石薄膜。如申请专利范围第10项的烤盘,还包含用以降低该烤盘温度之装置,该用来降低温度之装置被配置成该第二表面接触。一种生产用于晶圆生产制造厂的烤盘之方法,此方法包含下面步骤:提供排列来加热晶圆的热传导材质的碟片,该碟片有上表面及下表面;在该下表面中定义通道样式的至少一长度,当从正交于该碟片的该上表面的一平面上看时,该通道样式具有一非一致的深度;及以一电气传导材质填充该通道样式,当与一电压源耦接时,该电气传导材质产生热。如申请专利范围第16项的方法,其中,当从正交于该上表面的一平面上看时,该通道样式具有均匀的区域及一非均匀的区域之至少之一者。如申请专利范围第16项的方法,其中该热传导材质为铜,该电气传导材质与该铜电气绝缘,该方法还包含以一层镍覆盖该铜表面。如申请专利范围第16项的方法,其还包含以类钻石材质的薄膜覆盖该烤盘的至少一最外层。
地址 荷兰