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一种用于操作CMOS影像感应器的方法，所述CMOS影像感应器包括主动像素感应器阵列以及对应于所述主动像素感应器阵列之杂讯消除器阵列，所述方法包含：产生镜射所述主动像素感应器阵列外部之杂讯的变化参考讯号；将所述变化参考讯号输出至所述杂讯消除器阵列；以及将所述变化参考讯号用于所述杂讯消除器阵列中，以消除所述主动像素感应器阵列内部以及外部的杂讯，其中产生所述变化参考讯号包含镜射将功率供应至所述主动像素感应器阵列之电源中的杂讯，其中镜射所述电源中的杂讯包含根据所述主动像素感应器阵列中之像素的像素运作以及来自所述电源之功率而建立复制讯号。如申请专利范围第1项所述之用于操作CMOS影像感应器的方法，其中产生所述变化参考讯号进一步包含将所述复制讯号添加至恒定参考讯号。如申请专利范围第1项所述之用于操作CMOS影像感应器的方法，其中建立所述复制讯号包含提供具有等效于所述主动像素感应器阵列中之所述像素的像素结构之像素结构的光学黑色像素，以及将功率自所述电源供应至所述光学黑色像素。如申请专利范围第1项所述之用于操作CMOS影像感应器的方法，其中建立所述复制讯号包含提供具有与所述主动像素感应器阵列中之所述像素对输入功率之回应相等的对输入功率之回应的等效电路，以及将功率自所述电源供应至所述等效电路。如申请专利范围第1项所述之用于操作CMOS影像感应器的方法，其中产生所述变化参考讯号进一步包含镜射所述杂讯消除器阵列内之开关偏差杂讯。如申请专利范围第5项所述之用于操作CMOS影像感应器的方法，其中产生所述变化参考讯号进一步包含将所述复制讯号供应至虚设杂讯消除器，所述虚设杂讯消除器具有与所述杂讯消除器阵列之杂讯消除器之结构等效的结构。如申请专利范围第1项所述之用于操作CMOS影像感应器的方法，其中产生所述变化参考讯号包含镜射所述杂讯消除器阵列内之开关偏差杂讯。如申请专利范围第7项所述之用于操作CMOS影像感应器的方法，其中产生所述变化参考讯号进一步包含将恒定参考讯号供应至虚设杂讯消除器，所述虚设杂讯消除器具有与所述杂讯消除器阵列之杂讯消除器之结构等效的结构。一种用于与CMOS影像感应器一起使用的装置，所述CMOS影像感应器包括主动像素感应器阵列以及对应于所述主动像素感应器阵列之杂讯消除器阵列，所述装置包含：变化参考讯号产生器，以产生镜射所述主动像素感应器阵列外部之杂讯的变化参考讯号，以及将所述变化参考讯号输出至所述杂讯消除器阵列，以及复制单元，所述复制单元用于根据所述主动像素感应器阵列中之像素的像素功能以及来自所述电源之功率而建立复制讯号，其中所述变化参考讯号镜射将功率供应至所述主动像素感应器阵列之电源中的杂讯。如申请专利范围第9项所述之用于与CMOS影像感应器一起使用的装置，其中所述变化参考讯号产生器包含比较器，所述比较器用于将所述复制讯号与恒定参考讯号相加。如申请专利范围第9项所述之用于与CMOS影像感应器一起使用的装置，其中所述复制单元包含具有等效于所述主动像素感应器阵列中之所述像素的像素结构之像素结构的光学黑色像素，所述光学黑色像素自所述电源接收功率。如申请专利范围第9项所述之用于与CMOS影像感应器一起使用的装置，其中所述复制单元包含具有与所述主动像素感应器阵列中之所述像素对输入功率之回应相等的对输入功率之回应的等效电路，所述等效电路自所述电源接收功率。如申请专利范围第9项所述之用于与CMOS影像感应器一起使用的装置，其中所述变化参考讯号进一步镜射所述杂讯消除器阵列内之开关偏差杂讯。如申请专利范围第13项所述之用于与CMOS影像感应器一起使用的装置，其中所述变化参考讯号产生器包含具有与所述杂讯消除器阵列之杂讯消除器之结构等效之结构的虚设杂讯消除器，所述虚设杂讯消除器接收所述复制讯号。如申请专利范围第9项所述之用于与CMOS影像感应器一起使用的装置，其中所述变化参考讯号镜射所述杂讯消除器阵列内之开关偏差杂讯。如申请专利范围第15项所述之用于与CMOS影像感应器一起使用的装置，其中所述变化参考讯号产生器包含具有与所述杂讯消除器阵列之杂讯消除器之结构等效之结构的虚设杂讯消除器。如申请专利范围第16项所述之用于与CMOS影像感应器一起使用的装置，其中所述变化参考讯号产生器包含多个虚设杂讯消除器。 |
