| 主权项 |
一磊晶成长系统，其包含：一磊晶成长反应腔体；一承载器，设置于该磊晶成长反应腔体中并具有一承载表面，且该承载表面具有一边缘；复数个晶圆固定单元，设置于该承载表面上，该每一晶圆固定单元于该承载表面上各具有一边界；以及至少三个第一加热单元，平行于该承载表面且并置于该承载器之下方。如申请专利范围第1项所述之磊晶成长系统，其中，该些晶圆固定单元于该承载表面上之边界与该边缘具有一最短距离(D)，该些第一加热单元与该边缘具有一最短距离(L)，该些第一加热单元与该边缘之最短距离(L)大于等于该些晶圆固定单元于该承载表面上之边界与该边缘之最短距离(D)且该些第一加热单元与该边缘之最短距离(L)与该些晶圆固定单元于该承载表面上之边界与该边缘之最短距离(D)的差值小于等于5公厘。如申请专利范围第1项所述之磊晶成长系统，其中该承载器的材质为碳化矽、石墨、氮化硼或其组合。如申请专利范围第1项所述之磊晶成长系统，其中，该些第一加热单元的材质为钨。如申请专利范围第1项所述之磊晶成长系统，其中，该承载表面的几何中心更与一旋转装置连结。如申请专利范围第1项所述之磊晶成长系统，更包含复数个气体输入单元，设置于该腔体内，用以提供磊晶制程所需之气体。如申请专利范围第1项所述之磊晶成长系统，更包含复数个第二加热单元，大致垂直该承载表面并设置于该承载器之下。如申请专利范围第7项所述之磊晶成长系统，该些第一加热单元与该些第二加热单元分别透过不同的加热装置进行加热。一磊晶成长系统，其包含：一磊晶成长反应腔体；一承载器，设置于该磊晶成长反应腔体中并具有一承载表面，且该承载表面具有一边缘；复数个晶圆固定单元，设置于该承载表面上，该每一晶圆固定单元于该承载表面上各具有一边界；复数个第一加热单元，设置于该承载器之下方且与该承载表面具有大致相同的距离；以及一第二加热单元，设置于该承载器之下方及该些第一加热单元邻近该承载表面边缘的一侧；其中，该第二加热单元与该承载表面的距离小于该些第一加热单元与该承载表面的距离。如申请专利范围第9项所述之磊晶成长系统，其中，该些晶圆固定单元于该承载表面上之边界与该边缘具有一最短距离(D)，该第二加热单元与该边缘具有一最短距离(L)，该第二加热单元与该边缘之最短距离(L)大于等于该些晶圆固定单元于该承载表面上之边界与该边缘之最短距离(D)，且该第二加热单元与该边缘之最短距离(L)与该些晶圆固定单元于该承载表面上之边界与该边缘之最短距离(D)的差值小于等于5公厘。如申请专利范围第9项所述之磊晶成长系统，其中该承载器的材质为碳化矽、石墨、氮化硼或其组合。如申请专利范围第9项所述之磊晶成长系统，其中该些第一加热单元及/或的第二加热单元材质为钨。如申请专利范围第9项所述之磊晶成长系统，其中该承载表面的几何中心更与一旋转装置连结。如申请专利范围第9项所述之磊晶成长系统，更包含复数个气体输入单元，设置于该腔体内，用以提供磊晶制程所需之气体。如申请专利范围第9项所述之磊晶成长系统，更包含复数个第三加热单元，大致垂直该承载表面并设置于该承载器之下。如申请专利范围第15项所述之磊晶成长系统，该些第一加热单元与该些第三加热单元分别透过不同的加热装置进行加热。 |
