| 主权项 |
一种用于制造一层装置的方法，包括：形成一本质上含有碳的一电传导碳层；在该碳层上形成一保护层；在该保护层上形成一电绝缘层，该保护层保护该碳层，以避免该碳层在该电绝缘层的形成期间受到损害。如申请专利范围第1项所述的方法，该碳层是藉由一沉积方法而形成。如申请专利范围第1项所述的方法，该碳层的厚度是介于1奈米至100奈米之间。如申请专利范围第1项所述的方法，该保护层是由一黏性增进材料形成。如申请专利范围第4项所述的方法，使用六甲基二硅胺烷材料做为该黏性增进材料。如申请专利范围第1项所述的方法，该保护层系形成为一种碳化物层。如申请专利范围第6项所述的方法，该碳化物层包括下述材料中的一种或多种材料：碳化硼(BxC)；碳化铬(CrxCy)；碳化铌(NbxCy)；碳化矽(SiC)；碳化钛(TiC)；碳化铪(HfC)；碳化钽(TaC)；碳化钨(WC)；碳化锆(ZrC)。如申请专利范围第7项所述的方法，该碳化物层是藉由一沉积方法而形成。如申请专利范围第8项所述的方法，该沉积方法是一化学气相沉积法。如申请专利范围第1项所述的方法，该保护层的厚度是介于0.1奈米至10奈米之间。如申请专利范围第1项所述的方法，该电绝缘层是由一种具有高相对介电常数的材料所形成。如申请专利范围第1项所述的方法，该电绝缘层是藉由至少一氧化步骤所形成。如申请专利范围第12项所述的方法，该至少一氧化步骤系使用水或臭氧而执行。如申请专利范围第1项所述的方法，该电绝缘层是藉用一沉积方法所形成。如申请专利范围第14项所述的方法，该沉积方法是一化学气相沉积法。如申请专利范围第1项所述的方法，该电绝缘层是由一氧化物材料所形成。如申请专利范围第1项所述的方法，更包括形成至少一附加层于该电绝缘层上，或覆盖该电绝缘层。如申请专利范围第17项所述的方法，形成该至少一附加层做为本质上含有碳的一碳层，或做为一金属层。如申请专利范围第18项所述的方法，形成该至少一附加层做为一电传导碳层。一种用于制造一电组件的方法，包括：藉由如申请专利范围第18项所述的用于制造一层装置的方法来形成一层装置；在该电绝缘层上形成一电传导层，以形成一电容器。如申请专利范围第20项所述的方法，该电传导层是形成做为本质上含有碳的一碳层，或做为一金属层，以形成一金属－绝缘体－金属电之电容器。一种层装置，包括：本质上含有碳的一电传导碳层；一保护层，其形成于该碳层上；一电绝缘层，其形成于该保护层上，该保护层系用于避免该电绝缘层损害。一种电组件，包括：根据申请专利范围第22项所述的一层装置；一电传导层，其形成于该电绝缘层上，以形成一电容器。如申请专利范围第23项所述的电组件，该电传导层系形成做为本质上含有碳的一碳层，或一金属层，以形成一金属－绝缘体－金属电之电容器。 |
