| 主权项 |
一种填充单元，位于一积体电路内，包括：一或多个既定层的一或多个冗余元件；以及一或多个专用PN二极体，其中上述专用PN二极体包括：一N+型区，位于一P型井区内；其中上述N+型区系经由一第一金属线耦接于一正供应电压，以及上述P型井区系经由一第二金属线透过位于上述P型井区内的一P+上接区而耦接于一互补较低供应电压；其中由上述N+型区以及上述P型井区所形成之上述专用PN二极体的一总接面面积系大于功能性元件之一总有效面积的十分之一，以及上述专用PN二极体系用来保护上述功能性元件。如申请专利范围第1项所述之填充单元，其中上述填充单元系设置于至少两个上述功能性元件之间的空余空间。如申请专利范围第1项所述之填充单元，其中上述填充单元的宽度或是长度系不大于上述第一或第二金属线之最小宽度的三倍。如申请专利范围第1项所述之填充单元，其中上述填充单元的宽度或是长度系不大于上述第一或第二金属线之最小宽度的五倍。如申请专利范围第1项所述之填充单元，其中上述冗余元件系用来填满空余空间，以满足密度规则。如申请专利范围第1项所述之填充单元，其中上述第一金属线以及上述第二金属线系由相同金属层所形成。一种填充单元，位于一积体电路内，包括：一或多个既定层的一或多个冗余元件；以及一或多个专用PN二极体，其中上述专用PN二极体包括：一P+型区，位于一N型井区内；其中上述N型井区内位于一P型基底内，而上述P+型区系经由一第一金属线耦接于一互补较低供应电压，以及上述N型井区系经由一第二金属线透过一N+上接区而耦接于一正供应电压；其中由上述P+型区以及上述N型井区所形成之上述专用PN二极体系反向偏压以作为一解耦合电容；其中上述专用PN二极体的一总接面面积系大于功能性元件之一总有效面积的十分之一，以及上述专用PN二极体系用来保护上述功能性元件。如申请专利范围第7项所述之填充单元，其中上述填充单元系设置于至少两个上述功能性元件之间的空余空间。如申请专利范围第7项所述之填充单元，其中上述填充单元的宽度或是长度系不大于上述第一或第二金属线之最小宽度的三倍。如申请专利范围第7项所述之填充单元，其中上述填充单元的宽度或是长度系不大于上述第一或第二金属线之最小宽度的五倍。如申请专利范围第7项所述之填充单元，其中上述填充单元为设置于空余空间之非功能性元件。如申请专利范围第7项所述之填充单元，其中上述既定层包括金属、井区或是主动区。如申请专利范围第7项所述之填充单元，其中上述第一金属线以及上述第二金属线系由相同金属层所形成。一种填充单元，位于一积体电路内，包括：一或多个既定层的一或多个冗余元件；以及一或多个专用PN二极体，其中上述专用PN二极体包括：一第一N+型区，位于一N型井区内，其中上述N+型区系经由一第一金属线耦接于一正供应电压；一第一P+型区，位于一P型井区内，其中上述P+型区系经由一第二金属线耦接于一互补较低供应电压；以及一深掺杂N型井区，位于一P型基底内，其中上述深掺杂N型井区系透过位于上述深掺杂N型井区内之一第二N+型区而耦接于上述正供应电压，以及上述N型井区与上述P型井区系位于上述深掺杂N型井区内；其中由上述N型井区以及上述P型井区所形成之上述专用PN二极体系反向偏压以作为一解耦合电容；其中上述专用PN二极体的一总接面面积系大于功能性元件之一总有效面积的十分之一，以及上述专用PN二极体系用来保护上述功能性元件。如申请专利范围第15项所述之填充单元，其中上述填充单元系设置于至少两个上述功能性元件之间的空余空间。如申请专利范围第15项所述之填充单元，其中上述填充单元的宽度或是长度系不大于上述第一或第二金属线之最小宽度的三倍。如申请专利范围第15项所述之填充单元，其中上述填充单元的宽度或是长度系不大于上述第一或第二金属线之最小宽度的五倍。如申请专利范围第15项所述之填充单元，其中上述冗余元件系用来填满空余空间，以满足密度规则。如申请专利范围第15项所述之填充单元，其中上述第一金属线以及上述第二金属线系由相同金属层所形成。 |
