发明名称 具有太阳能光电板之养殖浮游植物的装置
摘要
申请公布号 TWM391830 申请公布日期 2010.11.11
申请号 TW099210420 申请日期 2010.06.01
申请人 富阳光电股份有限公司 发明人 沈和畇;洪伟哲;许志铭;郭明村;刘可萱;简智贤
分类号 A01G31/00 主分类号 A01G31/00
代理机构 代理人
主权项 一种具有太阳能光电板之养殖浮游植物的装置,其包含:被覆结构,其设置于该装置的顶部或侧壁,其中该被覆结构是太阳能光电板,其包含:基板;第一电极层,其形成在该基板之上;复数个半导体材料层,其形成在该第一电极层之上;第二电极层,其形成在该半导体材料层之上;至少两条导线,其形成在该第二电极层之上;封装材料;中间层,其用于黏合基板和封装材料;蓄养系统,其设置在该装置的内部且包含:至少一个蓄养容器,该蓄养容器间是互相连接;营养物供给系统,其连接到至少一个蓄养容器;CO2扩散供给和pH值控制系统,其连接到至少一个蓄养容器;至少一个人造光源,其位于蓄养容器的上方或蓄养容器内部。根据申请专利范围第1项所述之装置,其中该基板为玻璃或塑胶材料。根据申请专利范围第1项所述之装置,其中该第一电极层和第二电极层至少一者为透明材料,该透明材料是氧化锌、铟锡氧化物或二氧化锡。根据申请专利范围第1项所述之装置,其中该封装材料为玻璃、塑胶材料或复合材料。根据申请专利范围第1项所述之装置,其中该半导体材料层为非晶矽薄膜、奈米晶矽薄膜、微晶矽薄膜、多晶矽薄膜、铜铟二硒薄膜、铜铟镓硒薄膜、铜铟镓硒硫薄膜、碲化镉薄膜、氮化铝镓薄膜、砷化铝镓薄膜、氮化镓薄膜、磷化铟薄膜或磷化铟镓薄膜,或是前述材料之组合。根据申请专利范围第5项所述之装置,其中该半导体材料层的最佳者为非晶矽薄膜。根据申请专利范围第1项所述之装置,其中该半导体材料层的厚度是相关于该被覆结构的透光率。根据申请专利范围第1项所述之装置,其中该被覆结构的光穿透波长范围为380至2300奈米。根据申请专利范围第8项所述之装置,其中当该被覆结构的光穿透波长范围为380奈米以下时,该被覆结构的平均透光率是小于1%。根据申请专利范围第8项所述之装置,其中当该被覆结构的光穿透波长范围为400至800奈米时,该被覆结构的平均透光率是大于10%。根据申请专利范围第10项所述之装置,其中当该被覆结构的光穿透波长范围为610至720奈米时,该被覆结构的平均透光率是大于20%。根据申请专利范围第8项所述之装置,其中当该被覆结构的光穿透波长范围为1000至1200奈米时,该被覆结构的平均透光率是大于15%。根据申请专利范围第1项所述之装置,其中该装置内部的温度是25-60℃。根据申请专利范围第13项所述之装置,其中该装置内部的最佳温度是30-45℃。根据申请专利范围第1项所述之装置,其中该被覆结构是产生电力,该电力提供至营养物供给系统、CO2扩散供给和pH值控制系统以及人造光源。根据申请专利范围第1项所述之装置,其中该人造光源为红光光源,其波长范围是610至720奈米。根据申请专利范围第1项所述之装置,其中该人造光源为蓝光光源,其波长范围是450至520奈米。根据申请专利范围第1项所述之装置,其中该人造光源为红光光源和蓝光光源。根据申请专利范围第18项所述之装置,其中该红光光源的照射量和该蓝光光源的照射量之比值为9:1。
地址 桃园县龟山乡文化二路220号