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一种半导体装置，包含：氧化物膜；形成在氧化物膜上的包含氮的绝缘膜；形成在绝缘膜上的半导体膜；以及与氧化物膜底侧接触形成的包含大比例钨的氧化物层。一种半导体装置，包含：氧化物膜；形成在氧化物膜上的包含氮的绝缘膜；提供在绝缘膜上的半导体膜；以及与氧化物膜底侧接触形成的包含大比例钨的氧化物层，其中，氧化物层还包含WO3。根据申请专利范围第1或2项所述之半导体装置，其中，该氧化物层包含WO2和WO3的至少之一。根据申请专利范围第1或2项所述之半导体装置，其中，该绝缘膜包含SiN、SiON和SiNO的至少之一。根据申请专利范围第1或2项所述之半导体装置，其中，该绝缘膜为该半导体膜的基底膜。一种半导体装置，包含：形成在薄膜基底上的氧化物膜；形成在氧化物膜上的包含氮的绝缘膜；形成在绝缘膜上的包括杂质区的结晶半导体膜；连接到该杂质区的布线；连接到布线的第一电极；形成在第一电极上的第二电极，以发光层插入其间；以及形成在该薄膜基底与该氧化物膜之间的包含大比例金属的氧化物层，其中，该氧化物层包含WO2和WO3的至少之一。一种半导体装置，包含：形成在薄膜基底上的氧化物膜；形成在氧化物膜上的包含氮的绝缘膜；形成在该绝缘膜上的包括杂质区的结晶半导体膜；连接到该杂质区的布线；连接到该布线的第一电极；形成在第一电极上的第二电极，以发光层插入其间；以及形成在该薄膜基底与该氧化物膜之间的包含大比例金属的氧化物层和粘合剂，其中该氧化物层包含WO2和WO3的至少之一。一种半导体装置，包含：形成在薄膜基底上的氧化物膜；形成在该氧化物膜上的包含氮的绝缘膜；形成在该绝缘膜上的包括杂质区的结晶半导体膜；连接到该杂质区的布线；连接到该布线的第一电极；形成在该第一电极上的第二电极，以液晶元件插入其间；以及形成在该薄膜基底与该氧化物膜之间的包含大比例金属的氧化物层，其中，该氧化物层包含WO2和WO3的至少之一。一种半导体装置，包含：形成在薄膜基底上的氧化物膜；形成在该氧化物膜上的包含氮的绝缘膜；形成在该绝缘膜上的包括杂质区的结晶半导体膜；连接到该杂质区的布线；连接到该布线的第一电极；形成在该第一电极上的第二电极，以液晶元件插入其间；以及形成在该薄膜基底与该氧化物膜之间的包含大比例金属的氧化物层和粘合剂，其中，该氧化物层包含WO2和WO3的至少之一。根据申请专利范围第6-9项中任何一项的半导体装置，其中金属选自由W、Ti、Ta、Mo、Nd、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os和Ir组成的组中的一种元素、其合金材料、以及其化学化合物。根据申请专利范围第6-9项中任何一项所述之半导体装置，其中，该绝缘膜包含SiN、SiON和SiNO的至少之一。根据申请专利范围第6-9项中任何一项所述之半导体装置，其中，该绝缘膜是半导体膜的基底膜。 |
