发明名称 非挥发性储存系统与使用不同电压之非挥发性储存之验证操作
摘要
申请公布号 TWI333210 申请公布日期 2010.11.11
申请号 TW096117615 申请日期 2007.05.17
申请人 桑迪士克股份有限公司 发明人 葛瑞特 詹 汉明克
分类号 G11C11/34 主分类号 G11C11/34
代理机构 代理人 黄章典 台北市松山区敦化北路201号7楼;楼颖智 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种使用非挥发性储存装置之方法,包括:施加一特定电压至一含经连接之非挥发性储存元件之群组中的一特定非挥发性储存元件;施加一第一电压至该群组中之一或多个非挥发性储存元件,自一最后相关擦除以来,该一或多个非挥发性储存元件已历经一或多次程式化过程,当施加该特定电压时施加该第一电压;施加一第二电压至该群组中之两个或两个以上非挥发性储存元件,自该最后相关擦除以来,该两个或两个以上非挥发性储存元件尚未历经一程式化过程,当施加该特定电压时施加该第二电压;及回应该施加之该特定电压,感测该特定非挥发性储存元件相关之一条件。如请求项1之方法,其中:该第二电压小于该第一电压。如请求项1之方法,其中:该特定电压系一验证参考电压;该第一电压充分高而足以开通该群组中之已历经一或多次程式化过程之该一或多个非挥发性储存元件;该第二电压小于该第一电压;及该感测一条件系于程式化期间之一验证操作的部分。如请求项1之方法,其中:该特定电压系一读取参考电压;该第一电压充分高而足以开通该群组中之已历经一或多次程式化过程之该一或多个非挥发性储存元件;该第二电压小于该第一电压;及该感测一条件系一读取操作的部分。如请求项1之方法,其中:该感测一条件系于程式化期间之一验证操作的部分。如请求项5之方法,其中:该含经连接之非挥发性储存元件之群组系属于一共同NAND串之部分的NAND快闪记忆体装置。如请求项5之方法,进一步包括:施加一第三电压至一非挥发性储存元件,该非挥发性储存元件系该特定非挥发性储存元件之邻近者。如请求项5之方法,进一步包括:在该验证操作之前程式化该特定非挥发性储存元件。如请求项5之方法,其中:该群组中之已历经一或多次程式化过程之该一或多个非挥发性储存元件系位于该特定非挥发性储存元件之一源极侧;及该群组中之尚未历经一程式化过程之该等非挥发性储存元件系位于该特定非挥发性储存元件之一汲极侧。如请求项1之方法,其中:该含经连接之非挥发性储存元件之群组系属于一共同NAND串之部分的多状态式NAND快闪记忆体装置。如请求项1之方法,其中:该方法包括程式化该特定非挥发性储存元件;该感测一条件系一读取操作的部分,其系在该程式化该特定非挥发性储存元件之后,但完成程式化整个该含经连接之非挥发性储存元件之群组之前予以执行;及该第二电压小于该第一电压。如请求项11之方法,其中:该群组中之已历经一或多次程式化过程之该一或多个非挥发性储存元件之一第一子集系位于该特定非挥发性储存元件之一源极侧;该群组中之已历经一或多次程式化过程之该一或多个非挥发性储存元件之一第二子集系位于该特定非挥发性储存元件之一汲极侧;及该群组中之尚未历经一程式化过程之该等非挥发性储存元件系位于该特定非挥发性储存元件之该汲极侧。如请求项1之方法,进一步包括:程式化该群组中之自该最后相关擦除以来尚未历经一程式化过程的该两个或两个以上非挥发性储存元件;在该程式化之后对该特定非挥发性储存元件实行一读取过程,感测一条件之该步骤系作为当程式化该特定非挥发性储存元件时之一验证过程之部分予以实行,藉由施加一共同控制闸极电压至该群组中之该一或多个非挥发性储存元件及该群组中之该两个或两个以上非挥发性储存元件而实行该读取过程。一种非挥发性储存系统,包括:一含经连接之非挥发性储存元件之群组;及一管理电路,其与该含经连接之非挥发性储存元件之群组通讯,该管理电路施加一特定电压至该群组中的一特定非挥发性储存元件,当施加该特定电压至该特定非挥发性储存元件时,该管理电路施加一第一电压至该群组中之一或多个非挥发性储存元件,自一最后擦除该群组以来,该一或多个非挥发性储存元件已历经一或多次程式化过程;以及施加一第二电压至该群组中之两个或两个以上非挥发性储存元件,自擦除该群组以来,该两个或两个以上非挥发性储存元件尚未历经一程式化过程,该管理电路感测关于该特定非挥发性储存元件与该特定电压之一条件。如请求项14之非挥发性储存系统,其中:该第二电压小于该第一电压。如请求项14之非挥发性储存系统,其中:该含经连接之非挥发性储存元件之群组系属于一共同NAND串之部分的NAND快闪记忆体装置。如请求项16之非挥发性储存系统,其中:该第一电压充分高而足以开通该群组中之已历经一或多次程式化过程之该一或多个非挥发性储存元件;该第二电压充分高而足以开通该群组中之尚未历经一程式化过程之该一或多个非挥发性储存元件;该第二电压小于该第一电压;及该感测该条件系一读取操作的部分。如请求项16之非挥发性储存系统,其中:该第一电压充分高而足以开通该群组中之已历经一或多次程式化过程之该一或多个非挥发性储存元件;该第二电压充分高而足以开通该群组中之尚未历经一程式化过程之该一或多个非挥发性储存元件;该第二电压小于该第一电压;及该感测该条件系于程式化期间该管理电路所实行之一验证操作的部分。如请求项18之非挥发性储存系统,其中:该管理电路施加一第三电压至一非挥发性储存元件,该非挥发性储存元件系该特定非挥发性储存元件之邻近者。如请求项18之非挥发性储存系统,其中:该群组中之已历经一或多次程式化过程之该一或多个非挥发性储存元件系位于该特定非挥发性储存元件之一源极侧;及该群组中之尚未历经一程式化过程之该等非挥发性储存元件系位于该特定非挥发性储存元件之一汲极侧。如请求项14之非挥发性储存系统,其中:该感测一条件系一读取操作的部分,其系在该程式化该特定非挥发性储存元件之后,但完成程式化整个该含经连接之非挥发性储存元件之群组之前由该管理电路予以执行;及该第二电压小于该第一电压。如请求项21之非挥发性储存系统,其中:该群组中之已历经一或多次程式化过程之该一或多个非挥发性储存元件之一第一子集系位于该特定非挥发性储存元件之一源极侧;该群组中之已历经一或多次程式化过程之该一或多个非挥发性储存元件之一第二子集系位于该特定非挥发性储存元件之一汲极侧;及该群组中之尚未历经一程式化过程之该等非挥发性储存元件系位于该特定非挥发性储存元件之该汲极侧。如请求项14之非挥发性储存系统,其中:该管理电路包括一控制器、一状态机、命令电路、控制电路及解码器中之任一项或一组合。如请求项14之非挥发性储存系统,其中:该管理电路程式化该群组中之自该最后相关擦除以来尚未历经一程式化过程的该两个或两个以上非挥发性储存元件;该管理电路在该程式化之后对该特定非挥发性储存元件实行一读取过程,感测一条件之该步骤系作为当程式化该特定非挥发性储存元件时之一验证过程之部分予以实行,该管理电路藉由施加一共同控制闸极电压至该群组之该一或多个非挥发性储存元件及该群组之该两个或两个以上非挥发性储存元件而实行该读取过程。
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