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一种晶片型排阻之端电极制造方法，系包括下列步骤：设置绝缘材，系于晶片型排阻之复数端子中各两相邻端子之间设置绝缘材；成形端电极，系于该晶片型排阻之端子与绝缘材的外侧附着端电极金属；移去绝缘材，系将该绝缘材去除，且一并将附着于绝缘材上的端电极金属去除。如申请专利范围第1项所述晶片型排阻之端电极制造方法，系应用于制造多个晶片型排阻之制程中，该设置绝缘材步骤系包含下列子步骤：准备一排阻基板，系于一排阻基板上形成有复数个排阻单元以及复数贯孔；填充绝缘材，系于该排阻基板上的复数贯孔中分别填充一绝缘材；将该排阻基板分离为复数条状排阻，系沿相邻贯孔之中心将排阻基板分离为复数个条状排阻，以形成各排阻单元的复数个端子，且两相邻的端子之间系由该绝缘材隔开。如申请专利范围第2项所述晶片型排阻之端电极制造方法，该成形端电极步骤系包含下列子步骤：堆叠该复数条状排阻，系将该复数个条状排阻相互堆叠，并令端子与绝缘材之外侧露出；成形一端电极金属层，系于该复数堆叠的条状排阻上该端子与绝缘材的外侧附着一端电极金属层。如申请专利范围第1项所述晶片型排阻之端电极制造方法，该设置绝缘材步骤系利用穿孔印刷技术将该绝缘材印在两相邻端子之间。如申请专利范围第2或3项所述晶片型排阻之端电极制造方法，该填充绝缘材子步骤系利用穿孔印刷技术将该绝缘材印在贯孔处并将之填满。如申请专利范围第1项所述晶片型排阻之端电极制造方法，该成形端电极步骤系利用薄膜真空溅镀技术将金属原子附着于端子与绝缘材的外侧。如申请专利范围第2或3项所述晶片型排阻之端电极制造方法，该成形一端电极金属层子步骤系利用薄膜真空溅镀技术将金属原子附着于端子与绝缘材的外侧，以形成该端电极金属层。如申请专利范围第1项所述晶片型排阻之端电极制造方法，该移去绝缘材步骤系将晶片型排阻放入一超音波酒精清洗机中，利用超音波震荡技术将该绝缘材蚀刻去除。如申请专利范围第2或3项所述晶片型排阻之端电极制造方法，该移去绝缘材步骤系将该复数堆叠的条状排阻放入一超音波酒精清洗机中，利用超音波震荡技术将该绝缘材蚀刻去除。 |
