| 主权项 |
一种氧化铪或氧化锆之原子层沉积中所用之前驱物之用途，其中该前驱物具有如下一般方程式：(R1Cp)2M(R)2其中Cp代表环戊二烯基配位子，R1为烷基、烷氧基或酰胺基，R为一烷基、烷氧基或酰胺基，M为铪或锆。如申请专利范围第1项之前驱物之用途，其中该前驱物为双(甲基环戊二烯基)铪(IV)二甲基。如申请专利范围第1项之前驱物之用途，其中该前驱物为双(甲基环戊二烯基)锆(IV)二甲基。如申请专利范围第1项之前驱物之用途，其中该前驱物为双(甲基环戊二烯基)铪(IV)甲基乙基。如申请专利范围第1项之前驱物之用途，其中该前驱物为双(甲基环戊二烯基)锆(IV)甲基乙基。一种前驱物，其为双(甲基环戊二烯基)铪(IV)甲基乙基。一种前驱物，其为双(甲基环戊二烯基)锆(IV)甲基乙基。一种适合原子层沉积氧化铪所用之前驱物，具有如下一般方程式：(Cp2MR4R5)其中R4和R5可相同或不同，为选自烷氧基及酰胺基，Cp代表环戊二烯基配位子，及M为铪。如申请专利范围第8项之适合原子层沉积氧化铪所用之前驱物，其中R4和R5有1~4个碳数。如申请专利范围第8或9项之适合原子层沉积氧化铪所用之前驱物，此前驱物至少含有一个烷氧基。如申请专利范围第8或9项之适合原子层沉积氧化铪所用之前驱物，其中R4和R5相同。一种前驱物，其为双(环戊二烯基)双(甲氧基)铪(IV)。一种氧化铪或氧化锆之原子层沉积中所用之前驱物之用途，其中该前驱物具有如下一般方程式：(R6Cp)2MR4R5Cp代表环戊二烯基配位子，R4和R5可相同或不同，系选自烷基及烷氧基，R6为烷基、烷氧基或酰胺基，M为铪或锆。如申请专利范围第13项之前驱物之用途，其中R4和R5有1~4个碳数。如申请专利范围第13或14项之前驱物之用途，其中R6为含有1~2个碳数的烷基。如申请专利范围第13或14项之前驱物之用途，其中R4为烷氧基。一种适合原子层沉积氧化铪所用之前驱物，其具有如下一般方程式：(R6Cp)2MR4OR5其中Cp代表环戊二烯基配位子，R4为烷基或烷氧基，R5为烷基，R6为氢，烷基或酰胺基，及M为铪。如申请专利范围第17项之前驱物，其中R4是一烷氧基。一种前驱物，其系双(甲基环戊二烯基)双(甲氧基)铪(IV)。一种前驱物，其系双(甲基环戊二烯基)双(甲氧基)锆(IV)。如申请专利范围第17项之前驱物，其中R4为一烷基。一种前驱物，其系双(甲基环戊二烯基)甲基甲氧基铪(IV)。一种前驱物，其系双(甲基环戊二烯基)甲基甲氧基锆(IV)。一种藉由原子层沉积法沉积氧化铪或氧化锆之方法，该方法包括使用选自以下群组之前驱物：双(甲基环戊二烯基)铪(IV)甲基乙基；双(甲基环戊二烯基)锆(IV)甲基乙基；双(环戊二烯基)双(甲氧基)铪(IV)；双(环戊二烯基)双(甲氧基)锆(IV)；双(甲基环戊二烯基)双(甲氧基)铪(IV)；双(甲基环戊二烯基)双(甲氧基)锆(IV)；双(甲基环戊二烯基)甲基甲氧基铪(IV)；及双(甲基环戊二烯基)甲基甲氧基锆(IV)及其组合。如申请专利范围第24项之藉由原子层沉积法沉积氧化铪或氧化锆之方法，其中该前驱物靠氧气来源的脉冲交替作用送至基板。如申请专利范围第25项之藉由原子层沉积法沉积氧化铪或氧化锆之方法，其中该氧气来源选自水、氧气及臭氧。如申请专利范围第24或25项之藉由原子层沉积法沉积氧化铪或氧化锆之方法，其中该前驱物依靠载送气体发泡、气体引导(vapor draw)或其他使用净化合物方法传送至基板。如申请专利范围第24或25项之藉由原子层沉积法沉积氧化铪或氧化锆之方法，其中该前驱物溶液经制备后注入气化器，使其气化为气相，再输送至生长室。一种如申请专范围第6至9、12及17至23项之前驱物之用途，其系用于矽晶片上的记忆或逻辑应用。一种藉由原子层沉积法沉积氧化锆之方法，其中该前驱物为双(环戊二烯基)双(甲氧基)锆(IV)。 |
