发明名称 以电镀研磨制程移除边缘珠状物
摘要
申请公布号 TWI333235 申请公布日期 2010.11.11
申请号 TW094119366 申请日期 2005.06.10
申请人 应用材料股份有限公司 发明人 杜布斯特艾伦;马奈斯安东尼P;陈良毓
分类号 H01L21/302 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项 一种处理一基板之方法,包括:以一研磨垫组件接触该基板,该研磨垫组件包含:一导电部份及一上方部份,该上方部份具有与该基板之一表面接触的一处理表面,其中该导电部份具有一第一电极及一第二电极;将电偏压加至该研磨垫组件的该第一电极以于邻近该基板之该表面形成具一第一电压电位的一第一电极区,该电位系经选择以电化学机械处理(Ecmp)该基板之该表面;及将电偏压加至该研磨垫的该第二电极,以于邻近未实体上接触该研磨垫组件的环绕该基板之一边缘形成具一第二电压电位的一第二电极区,该电位系经选择以于该Ecmp期间同时电研磨环绕该基板之该边缘上形成的一材料,其中,该第二电压电位高于该第一电压电位。如申请专利范围第1项之方法,更包括调整一施加至面对未实体上接触该研磨垫组件的环绕该基板之边缘之该第二电极上的电压电位,以控制该边缘之电研磨。如申请专利范围第1项之方法,其中该第一及第二电极区系藉着至少二同心电极所形成。如申请专利范围第3项之方法,其中该基板及该第一电极区间之一电压差系少于5伏特。如申请专利范围第3项之方法,其中该基板及该第二电极区间之一电压差系在4伏特及20伏特之间。如申请专利范围第3项之方法,更包含藉着形成面对该基板之该表面的一额外电极区,提供一预定之研磨轮廓。如申请专利范围第1项之方法,更包含以一更高的移除速率沿着该基板的该边缘移除一沉积之导电层的一部份,该速率高于该导电层之一部分覆盖该基板之该表面的速率。一种用于处理一基板之设备,包含:一研磨垫组件,其包含一导电部份及一上方部份,该上方部份具有一与该基材之一表面接触的处理表面,其中该导电部份包含:一第一电极区,其面对该基板之一面,并延伸越过对应至该基板之该表面的一区域并且处于经选择以便能够电化学机械处理(Ecmp)该表面之一第一电压电位;一第二电极区,其邻近未实体上接触该研磨垫组件之该处理表面的环绕该基板之一边缘,该第二电极区处于一第二电压电位,该第二电位系经选择以便能够电研磨环绕该基板之该边缘所形成的一材料;及至少一电源,其适于供给该第一电压电位至该第一电极区及供给该第二电压电位至该第二电极区。如申请专利范围第8项之设备,其中该第二电压电位系高于该第一电压电位。如申请专利范围第8项之设备,其中该第一及第二电极区系藉着至少二同心电极所形成。如申请专利范围第8项之设备,其中该第一电极区系藉着一邻近该基板之表面的内部电极所形成。如申请专利范围第8项之设备,其中该第二电极区系藉着一邻近环绕该基板之该边缘的外部电极,以实质上外接该研磨垫组件之一外周边之方式所形成。如申请专利范围第8项之设备,其中该基板及该第一电极区间之一电压差系少于5伏特。如申请专利范围第8项之设备,其中该基板及该第二电极区间之一电压差系在4伏特及20伏特之间。如申请专利范围第8项之设备,更包含面对该基板之表面的多个额外电极区,选择各额外电极区的电压电位使其能够作Ecmp及提供一预定之研磨轮廓。
地址 美国