| 发明名称 |
Siliciumcarbidhalbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE102009056453(A1) |
申请公布日期 |
2010.11.11 |
| 申请号 |
DE200910056453 |
申请日期 |
2009.12.01 |
| 申请人 |
MITSUBISHI ELECTRIC CORP. |
发明人 |
TARUI, YOICHIRO |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/265;H01L29/739;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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