DFB LASER DIODE HAVING A LATERAL COUPLING FOR LARGE OUTPUT POWER

摘要

Die Erfindung betrifft eine DFB Laserdiode mit lateraler Kopplung, die zumindest ein Halbleitersubstrat (10), zumindest eine auf dem Halbleitersubstrat angeordnete aktive Schicht (40), zumindest einen oberhalb der aktiven Schicht (40) angeordneten Wellenleitersteg (70), zumindest eine neben dem Wellenleitersteg (70) oberhalb der aktiven Schicht (40) angeordnete periodische Oberflächenstruktur (110), und zumindest eine unterhalb und/oder oberhalb der aktiven Schicht angeordnete Wellenleiterschicht (30, 50) mit einer Dicke > 1 µm aufweist.