发明名称 Verfahren zur Zucht von GaN-Einkristallen
摘要
申请公布号 DE602006017195(D1) 申请公布日期 2010.11.11
申请号 DE200660017195T 申请日期 2006.03.31
申请人 DOWA HOLDINGS CO. LTD.;EPIVALLEY CO. LTD.;FURUKAWA CO. LTD.;MITSUBISHI CHEMICAL CORP.;TOHOKU TECHNO ARCH CO. LTD.;WAVESQUARE INC. 发明人 YAO, TAKAFUMI;CHO, MEOUNG-WHAN
分类号 C30B29/38;C23C16/34;H01L21/205;H01L33/00;H01L33/12;H01L33/32 主分类号 C30B29/38
代理机构 代理人
主权项
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