| 摘要 |
Beschrieben wird ein Verfahren zur Herstellung einer kapazitiven Struktur, das aufweist: Bereitstellen einer Trägerschicht (11), die eine Oberfläche (101) aufweist; Herstellen einer ersten Dielektrikumsschicht (21) auf der Oberfläche (101); Herstellen einer Siliziumschicht (12), die Siliziumkörner aufweist, auf der ersten Dielektrikumsschicht (21) unter Verwendung eines Abscheideprozesses; Herstellen einer zweiten Dielektrikumsschicht (31) auf der Siliziumschicht (12); Herstellen einer Schicht (41) eines elektrisch leitenden Materials auf der zweiten Dielektrikumsschicht (31); und Durchführen eines Temperaturprozesses zum Aufheizen wenigstens der ersten Dielektrikumsschicht (21), wobei die Temperatur und die Dauer des Temperaturprozesses so gewählt sind, dass die erste Dielektrikumsschicht (21) derart modifiziert wird, dass die Siliziumschicht (12) elektrisch mit der Trägerschicht (11) verbunden ist.
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