| 摘要 |
<p>L'invention concerne un procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat. Le procédé comprend les étapes consistant : à fournir un substrat, le substrat comprenant de la silice ; à fournir une composition de polissage mécano-chimique, la composition de polissage mécano-chimique comprenant : de l'eau, un abrasif ; un cation diquaternaire selon la formule (I) ; et éventuellement un composé d'alkylammonium quaternaire ; à fournir un feutre de polissage mécano-chimique ; à créer un contact dynamique à une interface entre le feutre de polissage mécano-chimique et le substrat ; et à distribuer la composition de polissage mécano-chimique sur le feutre de polissage mécano-chimique à ou à proximité de l'interface entre le feutre de polissage mécano-chimique et le substrat ; dans lequel la composition de polissage mécano-chimique présente un pH de 2 à 6 et la composition de polissage mécano-chimique exhibe une vitesse de retrait de la silice d'au moins 1500 Â/min.</p> |
