发明名称 半导体激光装置和激光投影装置
摘要 提供一种半导体激光装置和激光投影装置,在端面反射率不同的半导体激光装置(10)中,将配置在条状脊部(107a)上的电极,分割为由4个电极部(1)、(2)、(3)、(4)构成的四分割结构,使越是接近光出射端面侧的电极部,其注入电流越大。利用这种半导体激光装置,可以使与条状脊部对置的活性层内的载流子密度分布成为适合其光强度分布的分布,因此可以防止由于空间烧孔效应产生的横模的不稳定化和增益降低引起的高输出特性劣化。
申请公布号 CN101431216B 申请公布日期 2010.11.03
申请号 CN200810184662.3 申请日期 2004.12.21
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 水内公典;山本和久;笠澄研一;木户口勋
分类号 H01S5/06(2006.01)I;H01S5/0625(2006.01)I;H01S5/10(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I 主分类号 H01S5/06(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 吕林红
主权项 一种半导体激光装置,在半导体基板上备有具有脊型包层的半导体激光元件,其特征在于:上述半导体激光元件具有:利用载流子的注入进行激光振荡,在前方端面和后方端面上反射率不同的共振器;在该共振器的共振器轴向方向上延伸的、用来将载流子注入到该共振器的条状结构;和在该条状结构的上部配置的电极,其中,上述条状结构上的电极被分割为大于等于2个,使得沿着共振器轴向方向排列多个电极部,在上述多个电极部中的、位于射出激光的共振器的前方端面附近的电极部中,以与位于上述共振器的后方端面附近的电极部相比在活性层内的电流密度大的方式注入电流,上述多个电极部之中的每个电极部为其上述前方端面侧的宽度比其上述后方端面侧的宽度宽的锥形形状。
地址 日本大阪府