| 发明名称 | 测试半导体器件的方法和系统 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件，所述器件包括：衬底；形成在衬底中的前端结构；形成在前端结构上的后端结构；嵌入在后端结构中并用于产生热量的加热器；嵌入在后端结构中并用于检测半导体器件温度的传感器。 | ||
| 申请公布号 | CN101876683A | 申请公布日期 | 2010.11.03 |
| 申请号 | CN200910226240.2 | 申请日期 | 2009.11.25 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 普翰屏;王敏哲 |
| 分类号 | G01R31/26(2006.01)I;G01L1/00(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I | 主分类号 | G01R31/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 梁永 |
| 主权项 | 一种用于测试半导体器件的方法，包括如下步骤：提供半导体器件，所述半导体器件包括使用前端半导体工艺形成的前端结构和在所述前端结构之上使用后端半导体工艺形成的后端结构；使用嵌入在所述后端结构中的加热器加热所述半导体器件；以及使用传感器检测所述半导体器件的温度。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||