隔离区域注入和结构

摘要

本发明公开了一种隔离区域注入和结构，并提供了用于调整晶体管的阈值电压的方法和结构。使用掩模层在衬底内形成用于隔离区域的开口。然后，从开口回撤掩模层，并通过衬底的露出表面和开口的侧壁将掺杂物注入衬底。可以定制该注入以调整具有较小栅极宽度的晶体管的阈值电压，而不调整具有较大栅极宽度的其他晶体管的阈值电压。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：设置衬底；在所述衬底上方形成图样化掩模，所述图样化掩模露出所述衬底的一部分；去除所述衬底的一部分以形成沟槽；去除所述图样化掩模与所述沟槽相邻的部分，以形成所述衬底的露出表面；将具有第一导电率的第一掺杂物注入到所述衬底中；在注入所述第一掺杂物之后去除所述图样化掩模；以及用介电材料填充所述沟槽。