一种对靶磁控溅射装置

摘要

本实用新型提供一种对靶磁控溅射装置，应用于高速、均匀沉积薄膜的磁控溅射。它包括真空室，真空室设有抽真空口，真空室内设有磁控靶和工件架，磁控靶呈对靶设置，且每组对靶中间置有一工件架，工件架旋转过程中始终被控制在一组对靶中间。每组对靶磁场极性布置方向相反，形成闭合场；同时每个单独的磁控靶磁场布局方式都为非平衡磁场。本实用新型能够保证工件始终浸没在较高密度等离子体中，以提高溅射速度，减少镀膜时间从而提高生产效率，同时还能大幅度提高镀膜质量及靶材利用率。

主权项

一种对靶磁控溅射装置，包括真空室，真空室设有抽真空口，真空室内设有磁控靶和工件架，其特征在于，磁控靶呈对靶设置，且每组对靶中间置有一工件架，工件架旋转过程中始终被控制在一组对靶中间。