| 发明名称 | 半导体结构形成的方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构形成的方法，包括：提供一基板；形成一第一下掩膜层于基板上；形成一第一图案化掩膜于第一下掩膜层上，以界定一第三图案化掩膜的一部分；形成一第二下掩膜层于第一下掩膜层上方且覆盖第一图案化掩膜；形成一第二图案化掩膜于第二下掩膜层上，且第二图案化掩膜与第一图案化掩膜无重叠，以界定第三图案化掩膜的另一部分；以第一图案化掩膜及第二图案化掩膜为掩膜下切蚀刻第一下掩膜层与第二下掩膜层，以形成第三图案化掩膜；以第三图案化掩膜为掩膜蚀刻基板，以形成多个岛；以及移除第三图案化掩膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101221890B | 申请公布日期 | 2010.11.03 |
| 申请号 | CN200710002191.5 | 申请日期 | 2007.01.12 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 刘弘仁;谢维贤;叶章和 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/308(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 一种半导体结构形成的方法，包括：提供基板；形成第一下掩膜层于该基板上；形成第一图案化掩膜于该第一下掩膜层上；形成第二下掩膜层于该第一下掩膜层上方且覆盖该第一图案化掩膜；形成第二图案化掩膜于该第二下掩膜层上，且该第二图案化掩膜与第一图案化掩膜无重叠；以该第一图案化掩膜及该第二图案化掩膜为掩膜下切蚀刻该第一下掩膜层与该第二下掩膜层，以形成该第三图案化掩膜；以该第三图案化掩膜为掩膜蚀刻该基板，以形成多个岛；以及移除该第三图案化掩膜。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县 | ||