| 发明名称 | 具有绝缘涂层的半导体片式器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有绝缘涂层的半导体片式器件，包括要求表面绝缘性能的多晶半导体片、形成在半导体片两端的外电极、通过将玻璃粉末熔合到硅烷偶联剂而形成在半导体片表面上的绝缘涂层。另外，还提供了一种具有绝缘涂层的半导体片式器件的制造方法，包括：制备要求表面绝缘性能的多晶半导体片并蚀刻多晶半导体片；将蚀刻后的半导体片浸到硅烷偶联溶液中，并从附着到半导体片表面的溶液中去掉水的成分；将玻璃粉末附着到没有水的成分的半导体片上，并对半导体片进行第一热处理；在第一热处理后的半导体片上形成外电极，并对半导体片进行第二热处理，由此在半导体片的表面上形成绝缘涂层。 | ||
| 申请公布号 | CN1822249B | 申请公布日期 | 2010.11.03 |
| 申请号 | CN200510069995.8 | 申请日期 | 2005.05.12 |
| 申请人 | 三星电机株式会社 | 发明人 | 高敬憙;申知桓;崔畅学 |
| 分类号 | H01C7/00(2006.01)I;H01C17/00(2006.01)I | 主分类号 | H01C7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 郭鸿禧;金纪民 |
| 主权项 | 一种半导体片式器件，包括：要求表面绝缘性能的多晶半导体片；外电极，形成在所述半导体片的两端；绝缘涂层，通过将玻璃粉末熔合到硅烷偶联剂而形成在所述半导体片的表面上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩3洞314 | ||