晶圆翘曲程度的检测方法

摘要

本发明公开了一种晶圆翘曲程度的检测方法，涉及半导体领域的检测工艺。该检测方法包括：在晶圆表面选择两条垂直且交叉于晶圆中心的检测线，在每一检测线上选择若干检测点；在晶圆进行某一制程之前，利用检测装置测出基准距离；进行所述某一制程之后，利用检测装置测出测量距离；测量距离减去对应的基准距离获得每一检测点的差值；若所述差值在允许值范围内，则比较在晶圆同一圆周上的分别位于两检测线上的两检测点所获得的差值；若两差值相同，则说明该晶圆的翘曲不会影响后续制程；若两差值不相同，则说明该晶圆的翘曲影响后续制程。本发明提供的检测方法可以有效、及时检测出晶圆翘曲的是否均匀，避免后续制程中出现对准标记位置异常的现象。

主权项

一种晶圆翘曲程度的检测方法，其特征在于，该检测方法包括如下步骤：在晶圆表面选择两条垂直且交叉于晶圆中心的检测线，在每一检测线上选择相同数量且相同分布的若干检测点；在晶圆进行某一制程之前，提供具有光源的检测装置，其利用光源发生光束测量光源到晶圆表面的每一检测点的距离，该距离定义为基准距离；在晶圆进行所述某一制程之后，所述检测装置测量光源到晶圆表面的每一检测点的距离，该距离定义为测量距离；测量距离减去对应的基准距离获得每一检测点的差值；若所述差值超出允许值范围，则说明晶圆的翘曲影响后续制程；若所述差值在允许值范围内，则比较在晶圆同一圆周上的分别位于两检测线上的两检测点所获得的差值；若所述两检测点获得的差值相同，则说明该晶圆的翘曲不会影响后续制程；若两差值不相同，则说明该晶圆的翘曲影响后续制程；所述两检测线上所选择的检测点分别都大于等于20个。